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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn),但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月30日
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肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有..09月30日
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肖特基二極管在電路中有著廣泛的應(yīng)用,包括但不限于整流、續(xù)流、保護(hù)和小信號(hào)檢波等功能。它特別適用于低電壓、大電流的電路,如驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)電源、變頻器和逆變器等。這些領(lǐng)域中,肖特基二極..09月30日
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對(duì)于點(diǎn)接觸型肖特基二極管,它在微波通信電路方面具有重要地位。此外,鋁硅肖特基二極管在高頻電路中扮演著檢波和鑒頻的角色,取代了傳統(tǒng)的檢波二極管。需要注意的是,肖特基二極管的反向耐壓..09月30日
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肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn):器件本身具有很高的開關(guān)頻率,而且它的反向擊穿電壓比較的低。同時(shí)因?yàn)榧夹g(shù)的不斷改進(jìn),對(duì)新型材料的使用,使得肖特基二極管本身充滿了生機(jī)以及很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。肖特基二極..09月30日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面: 1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月30日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面: 1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月30日
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肖特基二極管,一種與傳統(tǒng)PN結(jié)二極管不同的電子元件,借助金屬和半導(dǎo)體之間的勢(shì)壘效應(yīng)產(chǎn)生整流效果。在電子學(xué)中,這種接觸被稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”,簡(jiǎn)稱肖特基勢(shì)壘二極管,通常被稱為肖特基二極..09月30日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面: 1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月30日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn),但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月30日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面: 1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月30日
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肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有..09月30日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面: 1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月30日
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肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有..09月30日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn),但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月30日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面: 1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月30日
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SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載..09月30日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面: 1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月30日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn),但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月30日
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SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載..09月30日
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