供應(yīng)商	廣東佳訊電子有限責(zé)任公司店鋪
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關(guān)鍵詞	生產(chǎn)肖特基二極管,肖特基二極管現(xiàn)貨供應(yīng),虹口肖特基二極管,肖特基二極管價格
所在地	廣東省東莞市萬江街道油新大路8號139室

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面：

1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。

2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非?？?，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。

但是，由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管大。

肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運(yùn)動和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動達(dá)到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

SBD的結(jié)構(gòu)及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD、TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機(jī)中被廣泛采用。

肖特基二極管，一種與傳統(tǒng)PN結(jié)二極管不同的電子元件，借助金屬和半導(dǎo)體之間的勢壘效應(yīng)產(chǎn)生整流效果。在電子學(xué)中，這種接觸被稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”，簡稱肖特基勢壘二極管，通常被稱為肖特基二極管。主要采用硅（Si）半導(dǎo)體材料制造，也有少量使用砷化鎵（GaAs）制作的。

面結(jié)合型管性能要優(yōu)于點接觸管,

主要原因在于:
1) 點接觸管表面不易清潔，針點壓力會造成半導(dǎo)體表面畸變。其接觸勢壘不是理想的肖特基勢壘受到機(jī)械震動時還會產(chǎn)生顫抖噪聲。面結(jié)合型管金半接觸界面比較平整不暴露而較易清潔其接觸勢壘幾乎是理想的肖特基勢壘。

2) 不同的點接觸管在生產(chǎn)時壓接壓力不同使得肖特基結(jié)的直徑不同。因此性能一致性差可靠性也差。
肖特基二極體大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極管，其反向偏壓額定耐壓高只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實務(wù)設(shè)計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題，肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。當(dāng)然，隨著工藝技術(shù)和肖特基二極管技術(shù)的進(jìn)步，其反向偏壓的額定值也再提高。