SiC芯片的工作溫度更高，對封裝的要求也非常高，同時對散熱和可靠性的要求也更加嚴苛，這些都需要相配套的封裝工藝和材料同步跟進。
在功率器件中，流經(jīng)焊接處的熱量非常高，因此需要更加注意芯片與框架連接處的熱性能及其處理高溫而不降低性能的能力。善仁新材的燒結銀的熱阻要比焊料低得多，因而使用燒結銀代替焊料能提高RθJC，而且由于銀的熔點較高，整個設計的熱裕度也提高了。
當下的芯片熱流密度的增大和模塊集成度的進一步提升，現(xiàn)有的小面積接合技術已經(jīng)不能滿足其散熱需求。因此，若能使用善仁新材的燒結銀實現(xiàn)更大面積的封裝互連，則將地提升SiC功率模塊的散熱性能和高溫可靠性。
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