現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電后代表1（二進制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。刷新是期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。
DRAM特點如下： ●存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。 [8] ●刷新（再生）：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，定時給柵極電容補充電荷的操作。 [8] ●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。 [8] ●優(yōu)點： 集成度遠SRAM、功耗低，價格也低。 [8] ●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用于作主存儲器。 [8] 盡管如此，由于DRAM存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產品。
光纖網卡，指的是光纖以太網適配器，簡稱光纖網卡，學名Fiber Ethernet Adapter.傳輸的是以太網通信協議，一般通過光纖線纜與光纖以太網交換機連接。按傳輸速率可以分為100Mbps、1Gbps、10Gbps，按主板插口類型可分為PCI、PCI-X、PCI-E(x1/x4/x8/x16)等，按接口類型分為LC、SC、FC、ST等。
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