供應(yīng)商	廣東佳訊電子有限責(zé)任公司店鋪
認(rèn)證
報(bào)價(jià)	面議
關(guān)鍵詞	MOSFET二極管
所在地	廣東省東莞市萬(wàn)江街道油新大路8號(hào)139室

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

MOSFET中用內(nèi)部二極管，保護(hù)器件免受因連接的電感性負(fù)載,產(chǎn)生的反向EMF尖峰的影響。當(dāng)電感負(fù)載與MOSFET漏極接通時(shí),電能立即存儲(chǔ)在負(fù)載內(nèi)部，并且在下一個(gè)瞬間隨著關(guān)閉,該存儲(chǔ)的EMF從MOSFET源極到漏極,從而導(dǎo)致MOSFET性損壞。在器件的漏源極間存在一個(gè)內(nèi)部二極管，通過(guò)允許反電動(dòng)勢(shì)尖峰穿過(guò)二極管來(lái)阻止MOSFET被損壞，保護(hù)MOSFET。

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號(hào)如圖1所示；其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率mos管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?，功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。功率MOSFET為多元集成結(jié)構(gòu)，如國(guó)際整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六邊形單元；西門子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形單元；摩托羅拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形單元按“品”字形排列。

功率MOSFET的設(shè)計(jì)過(guò)程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB盡量小。因?yàn)橹挥性诼ON區(qū)下的橫向電阻流過(guò)足夠電流為這個(gè)N區(qū)建立正偏的條件時(shí)，寄生的雙極性晶閘管才開(kāi)始發(fā)難。然而在嚴(yán)峻的動(dòng)態(tài)條件下，因dv/dt通過(guò)相應(yīng)電容引起的橫向電流有可能足夠大。此時(shí)這個(gè)寄生的雙極性晶體管就會(huì)起動(dòng)，有可能給MOSFET帶來(lái)?yè)p壞。所以考慮瞬態(tài)性能時(shí)對(duì)功率MOSFET器件內(nèi)部的各個(gè)電容（它是dv/dt的通道）都予以注意。瞬態(tài)情況是和線路情況密切相關(guān)的，這方面在應(yīng)用中應(yīng)給予足夠重視。對(duì)器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相應(yīng)的問(wèn)題。

FET用作具有兩個(gè)觸點(diǎn)的導(dǎo)電半導(dǎo)體通道-“源極”和漏極。 GATE結(jié)可以被理解為作為MOS結(jié)構(gòu)的2端子電路，該MOS結(jié)構(gòu)用作整流反向偏置模式。通常，在經(jīng)典工作情況下，GATE阻抗較高。根據(jù)這些標(biāo)準(zhǔn)的FET通常是MOSFET，JFET，金屬半導(dǎo)體FET（MESFET）和異質(zhì)結(jié)構(gòu)FET。在這些FET中，MOSFET是重要的晶體管之一，通常用于各種應(yīng)用。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。