廣州生產(chǎn)銷售碳化硅肖特基二極管價(jià)格

更新時(shí)間1：2025-10-08 信息編號(hào)：f31o90e1o514df 舉報(bào)維權(quán)

供應(yīng)商	廣東佳訊電子有限責(zé)任公司店鋪
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關(guān)鍵詞	馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管
所在地	廣東省東莞市萬江街道油新大路8號(hào)139室

葉友慶

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2年

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

SiC 肖特基勢壘二極管在 1985 年問世，是 Yoshida 制作在 3C-SiC 上的，它的肖特基勢壘高度用電容測量是 1.15 (±0.15) eV，用光響應(yīng)測量是 1.11 (±0.03) eV，它的擊穿電壓只有8 V，只6H-SiC肖特基二極管的擊穿電壓大約有200 V，它是由 Glover. G. H 報(bào)道出來的。Bhatnagar 報(bào)道了個(gè)高壓 400 V 6H-SiC 肖特基勢壘二極管，這個(gè)二極管有低通態(tài)壓降（1 V），沒有反向恢復(fù)電流。隨著碳化硅單晶、外延質(zhì)量及碳化硅工藝水平不斷地不斷提高，越來越多性能的碳化硅肖特基二極管被報(bào)道。1993 年報(bào)道了只擊穿電壓超過 1000V的碳化硅肖特基二極管，該器件的肖特基接觸金屬是 Pd，它采用 N 型外延的摻雜濃度1×10cm，厚度是 10μm。的4H-SiC單晶的在 1995 年左右出現(xiàn)，它比6H-SiC的電子遷移率要高，臨界擊穿電場要大很多，這使得人們更傾向于研究4H-SiC的肖特基二極管。

功率二極管是功率半導(dǎo)體器件的重要組成部分，主要包括 PiN 二極管，肖特基勢壘二極管和結(jié)勢壘控制肖特基二極管。本章主要介紹了肖特基勢壘的形成及其主要電流輸運(yùn)機(jī)理。并詳細(xì)介紹了肖特基二極管和結(jié)勢壘控制肖特基二極管的電學(xué)特性及其工作原理，為后兩章對(duì) 4H-SiC JBS 器件電學(xué)特性的仿真研究奠定了理論基礎(chǔ)。

金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí)，載流子流經(jīng)肖特基勢壘形成的電流主要有四種輸運(yùn)途徑。這四種輸運(yùn)方式為：

1、N 型 4H-SiC 半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的載流子電子越過勢壘頂部熱發(fā)射到金屬；

2、N 型 4H-SiC 半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的載流子電子以量子力學(xué)隧穿效應(yīng)進(jìn)入金屬；

3、空間電荷區(qū)中空穴和電子的復(fù)合；

4、4H-SiC 半導(dǎo)體與金屬由于空穴注入效應(yīng)導(dǎo)致的的中性區(qū)復(fù)合。

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量。

肖特基二極管，又稱熱載流子二極管，通過金屬和半導(dǎo)體接觸(肖特基接觸)形成肖特基勢壘，實(shí)現(xiàn)整流。與普通PN結(jié)二極管相比，肖特基二極管的反向恢復(fù)慣性非常低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關(guān)。

碳化硅肖特基二極管可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。在PFC電路中用碳化硅SBD取代原來的硅FRD，可使電路工作在300kHz以上，效率基本保持不變，而相比下使用硅FRD的電路在100kHz以上的效率急劇下降。隨著工作頻率的提高，電感等無源原件的體積相應(yīng)下降，整個(gè)電路板的體積下降30%以上。