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產(chǎn)品詳細(xì)介紹

大硅片方面，目前中環(huán)股份主導(dǎo)的創(chuàng)新產(chǎn)品210硅片正在大幅擴(kuò)產(chǎn)。相比隆基股份的182大硅片，210硅片目前在技術(shù)、經(jīng)濟(jì)性上的優(yōu)勢并不明顯，市場占有率明顯低于182大硅片。不過，相關(guān)人士透露，210硅片更適合下一代的N型電池，隨著N型電池HJT與TOPCON技術(shù)之爭終有了結(jié)果，210硅片或有拓展機(jī)會。

硅料回收的方法主要有以下幾種： 1. 機(jī)械回收：通過物理方法對硅料進(jìn)行分離、篩選和破碎，將廢棄的硅料分離出來，然后進(jìn)行再利用。這種方法適用于硅料的粒度較大的情況。 2. 化學(xué)回收：通過化學(xué)方法將廢棄的硅料溶解，然后經(jīng)過沉淀、過濾等步驟將硅料分離出來，再進(jìn)行再利用。這種方法適用于硅料的粒度較小的情況。 3. 熱處理回收：通過高溫處理廢棄的硅料，使其發(fā)生物理或化學(xué)變化，然后進(jìn)行分離和提取。這種方法適用于含有有機(jī)雜質(zhì)的硅料。

生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對位錯(cuò)密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯(cuò)排、星形結(jié)構(gòu)等缺陷存在。位錯(cuò)密度低于 200/厘米2者稱為無位錯(cuò)單晶，無位錯(cuò)硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無位錯(cuò)硅單晶中還存在雜質(zhì)原子、空位團(tuán)、自間隙原子團(tuán)、氧碳或其他雜質(zhì)的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱為旋渦缺陷。熱加工過程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。

硅單晶主要技術(shù)參數(shù)有導(dǎo)電類型、電阻率與均勻度、非平衡載流子壽命、晶向與晶向偏離度、晶體缺陷等。導(dǎo)電類型　導(dǎo)電類型由摻入的施主或受主雜質(zhì)決定。P型單晶多摻硼，N型單晶多摻磷,外延片襯底用N型單晶摻銻或砷

硅是元素半導(dǎo)體。電活性雜質(zhì)磷和硼在合格半導(dǎo)體和多晶硅中應(yīng)分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時(shí)要摻入一定量的電活性雜質(zhì)，以獲得所要求的導(dǎo)電類型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質(zhì)，它們的存在會使PN結(jié)性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認(rèn)為是低碳單晶。碳含量超過3ppm時(shí)其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5～40ppm范圍內(nèi)；區(qū)熔硅單晶氧含量可低于1ppm。

目前，世界上絕大部分廠家采用傳統(tǒng)的改良西門子法生產(chǎn)硅料，作為成熟的技術(shù)路線，其降本增效潛力已近極限。作為硅料的保利協(xié)鑫十余年如一日，不斷尋求技術(shù)突破以實(shí)現(xiàn)提質(zhì)增效，其的、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的硅烷流化床法顆粒硅（FBR法顆粒硅）技術(shù)已趨成熟，在產(chǎn)品純度、能耗、產(chǎn)能等各項(xiàng)指標(biāo)上，均大幅改良西門子法。

光伏組件回收成為新熱點(diǎn) 太陽能光伏發(fā)電，是世界能源綠色轉(zhuǎn)型的生力軍，其供應(yīng)鏈包括了從硅材料提純、鑄錠拉棒、切片、電池和輔材、組件、平衡部件以及系統(tǒng)集成、應(yīng)用和退役回收。
在研究和生產(chǎn)中，硅材料與硅器件相互促進(jìn)。在第二次世界大戰(zhàn)中，開始用硅制作雷達(dá)的高頻晶體檢波器。所用的硅純度很低又非單晶體。1950年制出只硅晶體管，提高了人們制備硅單晶的興趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅單晶成功。1953年又研究出無坩堝區(qū)域熔化法(FZ)，既可進(jìn)行物理提純又能拉制單晶。1955年開始采用鋅還原四氯化硅法生產(chǎn)純硅，但不能滿足制造晶體管的要求。
回收廠能夠回收晶體硅光伏板中95%的材料。而此前，老化或破損的太陽能電池板通常被送到玻璃回收設(shè)施中，僅對玻璃和鋁框架進(jìn)行回收。而剩下的材料會被送往水泥爐中作焚燒處理。此外，玻璃回收廠只能將太陽能電池板的特種玻璃杯回收后與其它普通玻璃混合，造成了浪費(fèi)。