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離線裝料技術(shù)在直拉法硅單晶生產(chǎn)中的應(yīng)用\引言直拉法(CZ)生產(chǎn)單晶硅是目前制備單晶硅的主要方法。在單晶生產(chǎn)過(guò)程中,傳統(tǒng)裝料方法為爐前裝料,即,以人工方式在單晶爐前將固態(tài)多晶硅料一塊塊地從爐體外轉(zhuǎn)移到石英坩堝內(nèi),再進(jìn)行合爐、真空檢漏[1]。整個(gè)過(guò)程非常緩慢,而且裝料過(guò)程中要避免硅料碎屑落入熱場(chǎng)內(nèi),裝料時(shí)間(清爐結(jié)束到合爐)約為2h,操作起來(lái)較繁瑣。此外,裝料工工作量不飽和,存在人力浪費(fèi)現(xiàn)象;在車(chē)間內(nèi)部裝料過(guò)程中涉及環(huán)節(jié)較多,硅料的潔凈度存在質(zhì)量隱患,不能確保硅棒的產(chǎn)品質(zhì)量[2]。隨著光伏市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的日趨激烈,追求低成本和率成為每一個(gè)企業(yè)市場(chǎng)的逐勝之道。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長(zhǎng)晶爐回收，多晶長(zhǎng)晶爐回收，臥式長(zhǎng)晶爐回收，拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與分析1　引　言半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)材料 ,其中用量和用途廣泛的是半導(dǎo)體硅。當(dāng)今 95%以上的半導(dǎo)體器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成電路是硅集成電路 ,生產(chǎn)集成電路所需要的單晶硅 ,是在硅結(jié)晶生長(zhǎng)開(kāi)始時(shí) ,用提拉的辦法制成的。在單晶硅生產(chǎn)過(guò)程中 ,對(duì)晶體的提拉速度有十分嚴(yán)格的要求 ,從某種程度上講提拉速度的控制好壞將直接影響到晶體的質(zhì)量。對(duì)單晶硅生產(chǎn)過(guò)程中的提拉速度控制系統(tǒng)進(jìn)行研究有實(shí)際意義。圖 1示出了單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)在單晶硅生產(chǎn)中的作用。提拉桿的運(yùn)動(dòng)是靠驅(qū)動(dòng)電機(jī)通過(guò)減速器 ,再由齒輪齒條機(jī)構(gòu)帶動(dòng)的。在單晶爐中 ,要求提拉單晶硅的提拉桿不僅能以某一期望線速度 V向上 (下 )運(yùn)動(dòng) ,而且當(dāng)提拉負(fù)載增大引起線速度為零時(shí) ,提拉桿能保持其后位置而不上下滑動(dòng)。在實(shí)際單晶爐中 ,對(duì)提拉控制系統(tǒng)提出的主要技術(shù)指標(biāo)是 ,提拉速度在 0 .2～ 1 0 .0 mm/h范圍之內(nèi)實(shí)現(xiàn)無(wú)級(jí)可調(diào) ,線性精度大于± 2 %

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半導(dǎo)體級(jí)直拉法的工藝控制\進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),隨著新興產(chǎn)業(yè)的科技創(chuàng)新,半導(dǎo)體行業(yè)得到了的發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,尤其近幾年,大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),縮短該行業(yè)與世界水平的差距。目前雖然有許多新興材料來(lái)替代硅材料,但未來(lái)幾年可以預(yù)見(jiàn),硅材料由于其成熟的技術(shù)品質(zhì)和穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì),將會(huì)在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里是主流材料。硅單晶作為主要材料,應(yīng)用的領(lǐng)域也是相當(dāng)廣泛的。硅單晶是由多晶硅原料經(jīng)過(guò)物理變化,讓硅原子按照人為設(shè)定的方向進(jìn)行生長(zhǎng),終形成的。一般會(huì)采用直拉法進(jìn)行制備。晶圓的直徑越大,集成電路制造的成本將會(huì)越低,因此要求作為材料的硅單晶的直徑也要相應(yīng)的增大。這里面涉及到了一系列問(wèn)題。這篇論文主要討論的是通過(guò)對(duì)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì),工藝的過(guò)程控制,減少位錯(cuò)的產(chǎn)生,以及通過(guò)化學(xué)腐蝕對(duì)位錯(cuò)進(jìn)行檢測(cè)的相關(guān)問(wèn)題。

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