隨著5G移動通信、雷達探測、軌道交通、光伏發(fā)電、半導體照明、高壓輸變電等領(lǐng)域的快速發(fā)展，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)以的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢成為支持新基建的核心材料。
碳化硅與氮化鎵優(yōu)勢互補。GaN功率半導體的市場應(yīng)用領(lǐng)域偏向中低電壓范圍，集中在1000V以下，而1000V以上的中高電壓范圍內(nèi)SiC更具優(yōu)勢，兩者的應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋了新能源汽車、光伏、機車牽引、智能電網(wǎng)、節(jié)能家電、通信射頻等大多數(shù)具有廣闊發(fā)展前景的新興應(yīng)用市場。
未來，在包括車用、輔助設(shè)施、充電樁等整個新能源汽車產(chǎn)業(yè)，均會成為支撐SiC在中高電壓領(lǐng)域應(yīng)用的重要組成部分。
5G技術(shù)不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時延，低功耗和高可靠性，以支持海量設(shè)備的互聯(lián)。GaN功率器件可以提供更高的功率密度、更率和更低功耗。
當今世界能源發(fā)展以電為中心、以新能源大規(guī)模開發(fā)利用和電動汽車等新型用電設(shè)施廣泛發(fā)展為標志的新一輪能源革命蓬勃興起。
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