納米燒結(jié)銀做為SiC芯片封裝的互連層研究總結(jié)
IGBT功率器件被廣泛用于新能源電車、車載逆變器上，做主要的控制元器件，而以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料所制成的功率器件能夠承受500℃左右甚至更高的溫度，比Si小近千倍的導(dǎo)通電阻，多20倍左右的開關(guān)頻率等性。
善仁新材的納米燒結(jié)銀形成的納米銀互連層具有優(yōu)良的電、熱性能，可承受710℃的高工作溫度，而且其厚度相比傳統(tǒng)的釬焊接頭要薄50～80%，是實(shí)現(xiàn)SiC功率器件封裝的理想互連材料。
納米燒結(jié)銀互連層的蠕變性能
善仁研究院通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：蠕變應(yīng)力指數(shù)以及激活能分別與環(huán)境溫度和加載應(yīng)力的關(guān)系很大，建議客戶根據(jù)自己芯片的大小和界面的鍍層材料選擇適合的燒結(jié)溫度和是否加壓。
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