大功率LED不可歸類到貼片系列,它們功率及電流使用皆不相同,且光電參數相差甚巨。單顆大功率LED光源如未加散熱底座(一般為六角形鋁質座),它的外觀與普通貼片無太大差距,大功率LED光源呈圓形,封裝方式基本與SMD貼片相同,但與SMD貼片在使用條件/環(huán)境/效果等都有著本質上的區(qū)別。
適用性:很小,每個單元 LED 小片是 3-5mm 的正方形,所以可以制備成各種形狀的器件,并且適合于易變的環(huán)境。 響應時間:其白熾燈的響應時間為毫秒級, LED 燈的響應時間為納秒級。 對環(huán)境污染:無有害金屬汞。
亮度 LED燈珠的亮度不同,價格不同。 燈珠:一般亮度為60-70 lm;球泡燈:一般亮度為80-90 lm。 1W紅光,亮度一般為30-40 lm;1W綠光,亮度一般為60-80 lm;1W黃光,亮度一般為30-50 lm;1W藍光,亮度一般為20-30 lm。 注:1W亮度為60-110lm;3W亮度高可達240lm;5W-300W是集成芯片,用串/并聯封裝,主要看多少電流,電壓,幾串幾并。 LED透鏡:一次透鏡一般用PMMA、PC、光學玻璃、硅膠(軟硅膠,硬硅膠)等材料。角度越大出光效率越高,用小角度的LED透鏡,光線要射得遠的。
半導體發(fā)光二極管的結構公差沒有激光器那么嚴格,而且無諧振腔。所以,所發(fā)出的光不是激光,而是熒光。LED是外加正向電壓工作的器件。在正向偏壓作用下,N區(qū)的電子將向正方向擴散,進入有源層,P區(qū)的空穴也將向負方向擴散,進入有源層。進入有源層的電子和空穴由于異質結勢壘的作用,而被封閉在有源層內,就形成了粒子數反轉分布。這些在有源層內粒子數反轉分布的電子,經躍遷與空穴復合時,將產生自發(fā)輻射光。
半導體發(fā)光二極管的結構簡單,體積小,工作電流小,使用方便,成本低,所以在光電系統(tǒng)中的應用極為普遍。在正向偏置下,半導體PN結或與其類似的結構能夠發(fā)出可見光或近紅外光,這種把電能直接轉換為光能的器件稱為發(fā)光二極管,簡稱LED。
原子、分子和某些半導體材料,能分別吸收和放出一定波長的光或電磁波。根據固體能帶論,半導體中電子的能量狀態(tài)分為價帶和導帶,當電子從一個帶中能態(tài)E1躍遷(轉移)到另一帶中的能態(tài)E2時,就會發(fā)出或吸收一定頻率(υ)的光。υ與能量差(ΔE=E2-E1)成正比,即
所屬分類:LED發(fā)光器件/特殊LED發(fā)光器件
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