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發(fā)明內(nèi)容、本發(fā)明的目的是提供一種易于及時排出爐內(nèi)的混合氣體，且可減少熱 能及消耗的直拉式單晶生長爐。實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是提供一種直拉式單晶生長爐，其包括 輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器；其特征在于經(jīng)氬 氣輸入管輸入的氣壓為0. 8xl0a0. 9xl0a,流量為 30L/min。上述技術(shù)方案中，還包括設(shè)于直拉式單晶生長爐的坩堝支持器下方和 該爐底部的排氣口之間的氣流導(dǎo)向裝置；該氣流導(dǎo)向裝置為碗形，其包括 設(shè)于氣流導(dǎo)向裝置底部的中軸孔、設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)的 一對電極孔、 以及設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)并與該爐的排氣口相對的通氣孔；該爐的石墨中 軸穿過所述氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔，該爐的 一對電極柱分別穿過所述電極 孔，該爐的排氣口與氣流導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通，氣流導(dǎo)向裝置的上 端部設(shè)于該爐的保溫筒與發(fā)熱體之間。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，為了使拖板92更平穩(wěn)地升降，所述立柱10和拖板92之間還設(shè)置有用于導(dǎo)向拖板92的升降的導(dǎo)向裝置，所述導(dǎo)向裝置包括設(shè)置在立柱10上的導(dǎo)軌101和設(shè)置在拖板92上的滑塊，所述拖板92通過滑塊與導(dǎo)軌101的配合滑配在立柱10上。為了防止?jié)櫥椭瑩]發(fā)污染原料，所述升降絲桿91的外側(cè)套裝有可伸縮的防塵罩95，所述防塵罩95為波紋防塵罩。所述加料器升降驅(qū)動裝置配上工裝還可以吊裝主爐室2內(nèi)的零部件，所述加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置包括旋轉(zhuǎn)電機111、旋轉(zhuǎn)絲桿112、旋轉(zhuǎn)套113和固定座114，所述旋轉(zhuǎn)套113鉸接在拖板92上，所述旋轉(zhuǎn)絲桿112可旋轉(zhuǎn)地支承在固定座114上，所述旋轉(zhuǎn)電機111安裝在固定座114上，所述旋轉(zhuǎn)絲桿112的一端部和旋轉(zhuǎn)電機111的輸出軸相連接，所述旋轉(zhuǎn)絲桿112的另一端部和旋轉(zhuǎn)套113通過螺紋連接，所述加料器旋臂8鉸接在拖板92上，以便通過旋轉(zhuǎn)電機111驅(qū)動旋轉(zhuǎn)絲桿112在旋轉(zhuǎn)套113內(nèi)旋進旋出，使得固定座114產(chǎn)生位移，并使固定座114帶動加料器旋臂8旋轉(zhuǎn)。具體地，為了防止?jié)櫥椭瑩]發(fā)污染原料，所述旋轉(zhuǎn)絲桿112的外側(cè)套裝有可伸縮的防塵罩95，所述防塵罩95為波紋防塵罩。

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DL-78型單晶爐的熱場和減壓工藝\1前言集成電路生產(chǎn)的發(fā)展一方面不斷縮小元件尺寸，以提高集成度；另一方面不斷擴大硅片直徑以減少芯片的離故度和降低成本。相應(yīng)地，作為集成電路基礎(chǔ)材料的硅單晶生產(chǎn)也在不斷地提高其技術(shù)質(zhì)量指標和增大單晶錠的直徑和長度，以滿足電路的要求和降低自身的生產(chǎn)成本。在國外市場上，硅晶體直徑大致每4～5年增長1時（25．4mm），相應(yīng)地，生產(chǎn)投料重也由1公斤逐漸發(fā)展為3～5公斤、8～12公斤、15～劉公斤和朋～6O公廳等幾個等級。在這發(fā)展中，有兩個條件是相輔相成、共同進步的，這是單晶爐和拉晶工藝。

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