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排氣筒與排氣口相通。上盤的幾個圓孔是除塵區(qū)域和排氣區(qū)域通道。含塵氣流未從上盤12 個圓孔排出去之前，實際的氣流運動是很復雜的。除切向和軸向運動外還有徑向運動。這樣含塵氣流會反復經(jīng)過金屬網(wǎng)(支撐內、外層金屬網(wǎng)的金屬桿相互錯列，很明顯能夠增加氣流穿過金屬網(wǎng)的次數(shù))。前文已詳細論過除塵機理,很容易看出慣性碰撞、接觸阻留、篩濾作用、擴散在這時將成為除塵的主要作用力。塵粒與氣流分離界面是內、外兩層金屬網(wǎng)(包括上盤在內)。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設備和工藝比較簡單，容易實現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。江南電力光伏科技有限，引進消化吸收國外技術研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽能光伏發(fā)電站和風力發(fā)電站的相關設備。其中硅單晶生長爐設備有兩大系列三個品種，具有自主知識產(chǎn)權。生產(chǎn)的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產(chǎn)權，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。
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液壓傳動裝置能準確的完成主爐室和副爐室的開啟，爐室、副爐室上升到位后對稱旋出，保主機穩(wěn)定可靠，并便于機動取出晶體，拆裝熱場系統(tǒng)和清理爐內各部。爐體部件采用316L不銹鋼，法蘭整體鍛造，經(jīng)過振動消除應力、缺陷檢查和探傷檢驗及氦質樸檢漏儀檢漏。
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