MGF4964BL-01低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設(shè)計(jì)用于K波段放大器。。。

MGF4964BL-01質(zhì)量等級(jí)：GG
MGF4964BL-01偏置條件：
VDS=2V，內(nèi)徑=10mA

MGF4964BL-01特征：
f=20GHz NFmin 時(shí)的低噪聲系數(shù)。=0.65 分貝(典型值)
f=20GHz 時(shí)的高相關(guān)增益 Gs =13.5dB(典型值。)

MGF4964BL-01應(yīng)用：
c 至K波段低噪聲放大器

MGF4964BL-01偏置條件
VDS=2V，內(nèi)徑=10mA


MGF4964BL-01包裝信息
磁帶和卷軸 4000 個(gè)/卷軸

噪聲是所有電子元件不可避免的特性，而放大器在信號(hào)放大的同時(shí)也會(huì)放大噪聲。因此，設(shè)計(jì)低噪聲放大器是為了在盡可能大的信號(hào)放大的同時(shí)，盡量減小噪聲的影響。

低噪聲放大器的設(shè)計(jì)目標(biāo)是將噪聲功率降到小，以提高信號(hào)與噪聲之間的信噪比。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，低噪聲放大器通常會(huì)采取以下措施：
降低器件本身的噪聲。選擇低噪聲元件和設(shè)計(jì)合理的電路結(jié)構(gòu)，以降低器件本身帶來的噪聲貢獻(xiàn)。優(yōu)化放大器的輸入和輸出匹配。通過合理的匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)，使得放大器能夠充分吸收輸入信號(hào)，并有效地傳遞輸出信號(hào)，減少信號(hào)的反射和損耗。

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