供應(yīng)商	上海增雨實(shí)業(yè)有限公司店鋪
認(rèn)證
報(bào)價(jià)	人民幣 888.00元
關(guān)鍵詞	靜安回收IGBT模塊,張浦鎮(zhèn)IGBT模塊回收標(biāo)準(zhǔn),上海區(qū)IGBT模塊回收?qǐng)?bào)價(jià),鳳凰鎮(zhèn)IGBT模塊回收標(biāo)準(zhǔn)
所在地	上海市閔行區(qū)

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

隨著國(guó)內(nèi)IGBT企業(yè)斯達(dá)半導(dǎo)的上市，并擠進(jìn)IGBT模塊供應(yīng)商0，國(guó)產(chǎn)替代技術(shù)已經(jīng)達(dá)到門(mén)檻。功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的細(xì)分領(lǐng)域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。1990-2010年，這20年時(shí)間內(nèi)，IGBT節(jié)能效果為客戶(hù)累計(jì)節(jié)省了約18萬(wàn)億美元，減少了約100萬(wàn)億磅的二氧化碳排放。IGBT作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”，節(jié)能減排的主力軍，有著強(qiáng)大的生命力，我們現(xiàn)在還離不開(kāi)IGBT！

由于IGBT在電能轉(zhuǎn)換中扮演的重要角色，它能夠?yàn)楦鞣N高電壓和大電流應(yīng)用提供更高的效率和節(jié)能效果，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源、變頻家電等領(lǐng)域。特別是在新能源汽車(chē)中，IGBT 模塊占電動(dòng)車(chē)整車(chē)成本約5%左右，是除電池之外成本第二高的元件。根據(jù)IHS預(yù)測(cè)，全球汽車(chē)電動(dòng)化用IGBT模塊未來(lái)5年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)23.5%。目前國(guó)內(nèi)IGBT供需差距，國(guó)產(chǎn)量?jī)H為市場(chǎng)銷(xiāo)量的七分之一。
2018 年 IGBT 模塊需求量為7898萬(wàn)只，但是國(guó)內(nèi)產(chǎn)量只有1115萬(wàn)只，供需缺口。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，IGBT整體市場(chǎng)規(guī)模會(huì)保持每年10%以上的增長(zhǎng)速度，主要受益于新能源汽車(chē)行業(yè)的發(fā)展。但是國(guó)產(chǎn)IGBT的增長(zhǎng)速度會(huì)遠(yuǎn)此，以上市公司斯達(dá)半導(dǎo)體為例，2016年至2018年，連續(xù)保持45%以上的增長(zhǎng)率。國(guó)內(nèi)諸多公司以IGBT為主營(yíng)業(yè)務(wù)的公司實(shí)現(xiàn)了高速增長(zhǎng)。

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域
按電壓分布的應(yīng)用領(lǐng)域
1、新能源汽車(chē)
IGBT模塊在電動(dòng)汽車(chē)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，是電動(dòng)汽車(chē)及充電樁等設(shè)備的核心技術(shù)部件。IGBT模塊占電動(dòng)汽車(chē)成本將近10%，占充電樁成本約20%。IGBT主要應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域中以下幾個(gè)方面：
A）電動(dòng)控制系統(tǒng) 大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅(qū)動(dòng)汽車(chē)電機(jī)；
B）車(chē)載空調(diào)控制系統(tǒng) 小功率直流/交流(DC/AC)逆變，使用電流較小的IGBT和FRD；
C）充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開(kāi)關(guān)元件使用；
2、智能電網(wǎng)
IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：
從發(fā)電端來(lái)看，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。
從輸電端來(lái)看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件。
從變電端來(lái)看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關(guān)鍵器件。
從用電端來(lái)看，家用白電、微波爐、 LED照明驅(qū)動(dòng)等都對(duì)IGBT有大量的需求。
3、軌道交通
IGBT器件已成為軌道交通車(chē)輛牽引變流器和各種變流器的主流電力電子器件。交流傳動(dòng)技術(shù)是現(xiàn)代軌道交通的核心技術(shù)之一，在交流傳動(dòng)系統(tǒng)中牽引變流器是關(guān)鍵部件，而IGBT又是牽引變流器核心的器件之一。

供應(yīng)英國(guó)WESTCODE西碼相控可控硅及R系列快速可控硅和整流二極管系列產(chǎn)品.N105PH12.N105RH12 ,N018PH12.N023PH12 N086PH12,N170PH12.N195PH12.N320CH40,N275PH12.N280CH06,N330KH12.N370MH12,R200SH16-21 R219SH08-12 R220SH08-12 R270SH04-08 D315CH32-36 R305SH14-21 D350SH24-26可接訂單，標(biāo)價(jià)僅供參考，當(dāng)日詢(xún)問(wèn)下單為準(zhǔn)，蘇州阜晶電子科技有限公司供應(yīng)：英國(guó)西碼圓盤(pán)式晶閘管陶瓷二極管系列，IXYS 可控硅大電流模塊。日本sanRex三社可控硅整流模塊。德國(guó)西門(mén)康可控硅IGBT模塊，英飛凌，(優(yōu)佩克) IGBT，可控硅模塊 .Fairchild ，Sirectifier ，東芝，三菱，富士，達(dá)林頓，GTR，IGBT, IPM，PIM模塊，快恢復(fù)二極管，整流橋，美國(guó)IR公司系列，場(chǎng)效應(yīng)管.可控硅模塊.

上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2 組成。
IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，基于以下的參數(shù)來(lái)進(jìn)行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā)，不過(guò)由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動(dòng)電路提供的偏壓更高。
IGBT在關(guān)斷過(guò)程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。因?yàn)镸OSFET關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間，td(off)為關(guān)斷延遲時(shí)間，trv為電壓Uds(f)的上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時(shí)間
t(off)=td(off)+trv十t(f)
式中：td(off)與trv之和又稱(chēng)為存儲(chǔ)時(shí)間。
IGBT的開(kāi)關(guān)速度低于MOSFET，但明顯GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來(lái)減少關(guān)斷時(shí)間，但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開(kāi)啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。
正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求；高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中，要求器件的電壓等級(jí)達(dá)到10KV以上，目前只能通過(guò)IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用。國(guó)外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國(guó)的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實(shí)際應(yīng)用，日本東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開(kāi)發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開(kāi)發(fā)取得一些新進(jìn)展。2013年9月12日我國(guó)的高壓大功率3300V/50A IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片及由此芯片封裝的大功率1200A/3300V IGBT模塊通過(guò)，中國(guó)自此有了完全自主的IGBT“中國(guó)芯”。

可控硅有多種分類(lèi)方法。
（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
（二）按引腳和極性分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
（三）按封裝形式分類(lèi)：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
可控硅開(kāi)關(guān)
可控硅開(kāi)關(guān)
（四）按電流容量分類(lèi)：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
（五）按關(guān)斷速度分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
（六）過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。
（七）非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見(jiàn)的是移相觸發(fā)，即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來(lái)改變輸出百分比。
面向全國(guó)，蘇州模塊供應(yīng)商，代理商。
全新原裝，代理，大量庫(kù)存
ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、IXYS 、SEMIKRON 、CATELEC 、SanRex、MITSUBISHI、EUPEC 、infineon 、POWERSEM 、DAWIN、TYCO
可控硅 IGBT IPM PIM系列模塊優(yōu)勢(shì)代理
主要銷(xiāo)售國(guó)際的整流管，晶閘管、快速晶閘管、電力模塊等產(chǎn)品?？偣疽言谙愀?、臺(tái)灣和東南亞享有名氣數(shù)十載。主要銷(xiāo)售世界各地電力電子器件，主要包括功率模塊、IGBT模塊、可控硅模塊、整流橋模塊、二極管模塊、IGBT單管和驅(qū)動(dòng)板、單三相整流橋模塊、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管、保險(xiǎn)絲、熔斷器和氣動(dòng)元件。主要包括:英飛凌、歐派克、日本三社、IXYS艾賽斯、ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、西門(mén)康、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門(mén)子、美國(guó)巴斯曼、法國(guó)羅蘭等功率模塊。
我公司力爭(zhēng)“追求、創(chuàng)造、樹(shù)立、服務(wù)客戶(hù)”的質(zhì)量方針，以“客戶(hù)利益至上，產(chǎn)品質(zhì)量”為宗旨。真誠(chéng)希望與您建立長(zhǎng)期穩(wěn)定、互惠互利的關(guān)系。