產(chǎn)品特點：
立自主知識產(chǎn)權(quán)的直線型單臂機械手，具有高可靠性、高穩(wěn)定性。
設(shè)備配有FFU，采用全封閉結(jié)構(gòu)，可發(fā)揮超潔凈性能，其潔凈度達Class1。
可實現(xiàn)對晶圓缺口的檢測并依據(jù)缺口位置對晶圓進行定位。
配備CCD傳感器及圖像處理軟件，可對晶圓ID刻號進行識別與讀??；
可依據(jù)客戶需求，非標(biāo)定制。
晶圓在加工過程中，需要對其進行劃片處理，目前現(xiàn)有的晶圓劃片設(shè)備村子按以下不足：1、晶圓初的放置隨意性較大，影響后續(xù)晶圓的對正工作；2、每次只能對晶圓的一個表面進行劃片處理，導(dǎo)致正反面劃片的深度難以控制，增加了后期打磨的工作。
內(nèi)圓切割時晶片表層損害層大，給CMP產(chǎn)生挺大黔削拋光工作中；刃口寬。材料損害大。品片出率低；成木高。生產(chǎn)效率低；每一次只有切割一片。當(dāng)晶圓直徑達到300mm時。內(nèi)圓刀頭外徑將達到1.18m。內(nèi)徑為410mm。在生產(chǎn)制造、安裝與調(diào)節(jié)上產(chǎn)生許多艱難。故后期主要發(fā)展趨勢線切別主導(dǎo)的晶圓切割技術(shù)。
頂面碎片(TSC, top-side chipping)，它發(fā)生晶圓的頂面，變成一個合格率問題，當(dāng)切片接近芯片的有源區(qū)域時，主要依靠刀片磨砂粒度、冷卻劑流量和進給速度。背面碎片(BSC, back-side chipping)發(fā)生在晶圓的底面，當(dāng)大的、不規(guī)則微小裂紋從切割的底面擴散開并匯合到一起的時候(圖1b)。當(dāng)這些微小裂紋足夠長而引起不可接受的大顆粒從切口除掉的時候，BSC變成一個合格率問題。
切割參數(shù)對材料清除率有直接關(guān)系，它反過來影響刀片的性能和工藝效率。對于一個工藝為了優(yōu)化刀片，設(shè)計試驗方法(DOE, designed experiment)可減少所需試驗的次數(shù)，并提供刀片特性與工藝參數(shù)的結(jié)合效果。另外，設(shè)計試驗方法(DOE)的統(tǒng)計分析使得可以對有用信息的推斷，以建議達到甚至更高產(chǎn)出和/或更低資產(chǎn)擁有成本的進一步工藝優(yōu)化。
切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認(rèn)真的刀片選擇和的工藝控制能力。
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