2MoS2+ 7 O2→ 2 MoO3　+ 4 SO2　可以用鈦鐵試劑來檢驗(yàn)生成的三氧化鉬。將產(chǎn)物用氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液處理（原理是將三氧化鉬轉(zhuǎn)化為鉬酸鹽），然后滴加鈦鐵試劑溶液，會(huì)和生成的鉬酸鈉或鉬酸鉀反應(yīng)，產(chǎn)生金黃色溶液。這種方法很靈敏，微量的鉬酸鹽都能被檢測(cè)出來。而如果沒有三氧化鉬生成，溶液就不會(huì)產(chǎn)生金黃色，因?yàn)槎蚧f不和氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液反應(yīng)。

MoS2可以由天然法，即輝鉬精礦提純法制備，該法是將的鉬精礦經(jīng)過一定的物理和化學(xué)作用，除去輝鉬精礦中的酸不溶物、SiO2、Fe、Cu、Ca、Pb 等雜質(zhì)，再進(jìn)一步細(xì)化，獲得納米 MoS2。美國 Climax 鉬公司就是采用了這種方法生產(chǎn)MoS2。這種方法制成的納米MoS2，能夠保持天然的 MoS2晶形，潤滑性能較好，適合制成潤滑劑。但是，采用天然法生產(chǎn)的納米MoS2純度不高，提純技術(shù)還有待于進(jìn)一步改進(jìn)。當(dāng)溫度低于 400 ℃時(shí)，在普通大氣下工作時(shí)建議用成本較低的MoS2，在 1300 ℃以下都有潤滑能力，建議用成本較低的MoS2。

讓電子制造者驚喜的是，所有TMDs均是半導(dǎo)體。它們和石墨烯的薄度近乎相同（在二硫化鉬中，兩層硫原子把一層鉬原子像“三明治”那樣夾在中間），但是它們卻有其他優(yōu)點(diǎn)。就二硫化鉬而言，優(yōu)點(diǎn)之一是電子在平面薄片中的運(yùn)行速度，即電子遷移率。二硫化鉬的電子遷移速率大約是100cm2/vs（即每平方厘米每伏秒通過100個(gè)電子），這遠(yuǎn)低于晶體硅的電子遷移速率1400 cm2/vs ，但是比非晶硅和其他超薄半導(dǎo)體的遷移速度更好，科學(xué)家正在研究這些材料，使其用于未來電子產(chǎn)品，如柔性顯示屏和其他可以靈活伸展的電子產(chǎn)品。

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