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蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。?

對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。

在光學(xué)薄膜的尺度上看（也就是1/10波長作為單位，約為100A），真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi)，也就是說對(duì)于薄膜的光學(xué)特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。?

濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對(duì)較差（因?yàn)槭敲}沖濺射），晶向（外沿）生長的控制也比較一般。

3. 開維持泵、真空計(jì)電源，真空計(jì)檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。
4. 開機(jī)械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動(dòng)，真空計(jì)開關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。
5. 觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后，關(guān)予抽，開前機(jī)和
高閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達(dá)一定程度后才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開電子槍電源。 1. 總電源。
2. 同時(shí)開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源：按電子槍控制Ⅰ電源、延時(shí)開關(guān)，延時(shí)、電源及保護(hù)燈亮，三分鐘后延時(shí)及保護(hù)燈滅，若后門未關(guān)好或水流繼電器有故障，保護(hù)燈會(huì)常亮。
3. 開高壓，高壓會(huì)達(dá)到10KV以上，調(diào)節(jié)束流可到200mA左右，簾柵為20V/100mA，燈絲電流1.2A，偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動(dòng)。 1. 關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。
2. 待分子泵顯示到50時(shí)，依次關(guān)高閥、前級(jí)、機(jī)械泵，這期間約需40分鐘。

1）所需設(shè)備：CCZK-1850SFL連續(xù)式磁控鍍膜流水線
　　2) 獲得膜層：一層或多層金屬，合金或金屬化合物膜層
　　3）涂裝流程： 玻璃產(chǎn)品的前處理清洗過程---進(jìn)片上線臺(tái)---粗抽室---過渡室---精抽室---緩沖室---鍍膜室---后緩沖---精抽室---過渡室---粗抽室---出片下線臺(tái)---淋漆流水線（如果需要）---包裝成品
　　4）基本配置：
　　1.腔體結(jié)構(gòu)：采用的臥式連續(xù)磁控鍍膜流水線，配備前后粗抽室，前后過渡室，前后精抽室，前后緩沖室，彩鍍室。
　　2.腔體材質(zhì)：碳鋼
　　3.靶材設(shè)計(jì)：采用新型旋極靶材以及平面陰極靶材。
　　4.電源配置：配備大功率中頻或直流磁控濺射電源
　　5.電氣控制：生產(chǎn)線采用PLC全過程控制，配備工業(yè)計(jì)算機(jī)人機(jī)交互系統(tǒng)，快速的節(jié)拍設(shè)計(jì)。
　　6.人機(jī)對(duì)話：控制系統(tǒng)能實(shí)現(xiàn)人、機(jī)對(duì)話，及時(shí)對(duì)生產(chǎn)過程進(jìn)行必要干預(yù)。運(yùn)行過程有報(bào)警提示和故障顯示，故障顯示能提示操作人員正確的操作和排故。
　　7.傳動(dòng)系統(tǒng)：滾軸傳動(dòng)，變頻可調(diào)
　　8.可鍍膜玻璃或平板,尺寸可定制
　　9. 生產(chǎn)線安采用了的插板閥進(jìn)行腔室隔斷，可以實(shí)現(xiàn)有效隔斷，穩(wěn)定工藝氣體。
　　10.生產(chǎn)線采用了均勻進(jìn)氣管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，氣流注入均勻平緩；
　　11.泵抽系統(tǒng)：擴(kuò)散泵組或分子泵組+機(jī)械泵+羅茨泵
　　5）需求配套設(shè)施：

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