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DL-78型單晶爐的熱場(chǎng)和減壓工藝\1前言集成電路生產(chǎn)的發(fā)展一方面不斷縮小元件尺寸，以提高集成度；另一方面不斷擴(kuò)大硅片直徑以減少芯片的離故度和降低成本。相應(yīng)地，作為集成電路基礎(chǔ)材料的硅單晶生產(chǎn)也在不斷地提高其技術(shù)質(zhì)量指標(biāo)和增大單晶錠的直徑和長(zhǎng)度，以滿足電路的要求和降低自身的生產(chǎn)成本。在國(guó)外市場(chǎng)上，硅晶體直徑大致每4～5年增長(zhǎng)1時(shí)（25．4mm），相應(yīng)地，生產(chǎn)投料重也由1公斤逐漸發(fā)展為3～5公斤、8～12公斤、15～劉公斤和朋～6O公廳等幾個(gè)等級(jí)。在這發(fā)展中，有兩個(gè)條件是相輔相成、共同進(jìn)步的，這是單晶爐和拉晶工藝。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長(zhǎng)晶爐回收，多晶長(zhǎng)晶爐回收，臥式長(zhǎng)晶爐回收，拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長(zhǎng)方法，用直拉法生長(zhǎng)單晶的設(shè)備和工藝比較簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70％～80％是用直拉法生產(chǎn)的。目前晶體生長(zhǎng)設(shè)備的現(xiàn)狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限，引進(jìn)消化吸收國(guó)外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽(yáng)能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長(zhǎng)爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長(zhǎng)爐（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自動(dòng)晶體生長(zhǎng)爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長(zhǎng)P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)單晶硅棒。

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回收空調(diào)、冷凝器、變壓器、電容柜，電線電纜，輸配電設(shè)備，配電箱、回收變壓器(干式、油式、箱式)、電梯、空壓機(jī)、高壓開(kāi)關(guān)、互感器、回收UBS電瓶、電動(dòng)機(jī)、壓縮機(jī)、機(jī)械設(shè)備、廚房設(shè)備、酒店設(shè)備、辦公設(shè)備、電抗器、穩(wěn)壓器、高壓柜、低壓柜、啟動(dòng)柜，發(fā)電機(jī)組,生產(chǎn)線，活動(dòng)房，配電柜，收購(gòu)交換器，冷凝器，叉車(chē),行車(chē),廠區(qū)行車(chē)，集裝箱等等
所述主爐室內(nèi)設(shè)置有主爐室坩堝，所述下驅(qū)動(dòng)裝置和主爐室坩堝相連，以便通過(guò)下驅(qū)動(dòng)裝置動(dòng)主爐室坩堝升降，所述副爐室和主爐室相連通，所述上驅(qū)動(dòng)裝置安裝在副爐室的上端，以便通過(guò)上驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)拉晶，它還包括：外部加料器，所述外部加料器內(nèi)設(shè)置有加料腔，所述加料腔內(nèi)設(shè)置有加料坩堝，所述外部加料器的蓋裝有上蓋；用于熔化硅料的外部化料器，所述外部化料器的和加料坩堝相連通，所述外部化料器的底端和主爐室坩堝相連通，以便將硅料加加料坩堝后，硅料漏外部化料器后被外部化料器熔化，被熔化后的硅料流主爐室坩堝內(nèi)。進(jìn)一步提供了外部化料器的具體結(jié)構(gòu)，所述外部化料器包括裝料器、化料器坩堝和用于給化料器坩堝加熱以便硅料熔化的熱場(chǎng)，所述裝料器和加料坩堝相連通，所述化料器坩堝和裝料器相連通，所述熱場(chǎng)套裝在化料器坩堝的外側(cè)，便硅料依次進(jìn)入加料坩堝、裝料器和化料器坩堝，并在化料器坩堝內(nèi)經(jīng)熱場(chǎng)熔化后又進(jìn)入主爐室坩堝。

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