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89000.00元燒結銀可以解決現(xiàn)有存在的五個難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標是提高功率（電流，電壓）——降低半導體控制和開關時損耗——擴展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月11日
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89000.00元與傳統(tǒng)的高溫無鉛釬料相比，AS9385有壓銀燒結技術燒結連接層成分為銀，具有優(yōu)異的導電和導熱性能，由于銀的熔點高達961℃，將不會產(chǎn)生熔點小于300℃的軟釬焊連層中出現(xiàn)的典型疲勞效應，具有極高..09月11日
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89000.00元燒結層厚度較焊接層厚度薄60-70%，熱傳導率提升5倍，國內(nèi)外諸多廠商把銀燒結技術作為第三代半導體封裝的核心技術，銀燒結技術成為芯片與基板之間連接的不二選擇.芯片連接采用銀燒結合金而不是..09月11日
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87000.00元銀燒結是一種經(jīng)過驗證的芯片粘接技術，可確保無空隙和高強度鍵合，并具有高導熱性和導電性。 這種有壓燒結銀AS9385技術良品率高，十分可靠。有壓銀燒結AS9385是一種新型的高可靠芯片粘接和鍵..09月11日
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89000.00元燒結銀可以解決現(xiàn)有存在的五個難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標是提高功率（電流，電壓）——降低半導體控制和開關時損耗——擴展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月11日
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89000.00元目前盡可能從機械方面集成電力電子系統(tǒng)所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發(fā)展。由于材料的熱膨脹系數(shù)不同、高溫波動和運行過程中的過度負載循環(huán)將導..09月11日
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89000.00元燒結層厚度較焊接層厚度薄60-70%，熱傳導率提升5倍，國內(nèi)外諸多廠商把銀燒結技術作為第三代半導體封裝的核心技術，銀燒結技術成為芯片與基板之間連接的不二選擇.同時在此基礎上開發(fā)出雙面銀燒..09月11日
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89000.00元燒結銀可以解決現(xiàn)有存在的五個難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標是提高功率（電流，電壓）——降低半導體控制和開關時損耗——擴展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月11日
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89000.00元目前，銀燒結技術成為國內(nèi)外第三代半導體封裝技術中應用最為廣泛的技術，美國、日本等碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)均采用此技術。相比焊接模塊，加壓燒結銀的銀燒結技術對模組結構、使用壽命、散熱產(chǎn)生..09月11日
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87000.00元銀燒結是一種經(jīng)過驗證的芯片粘接技術，可確保無空隙和高強度鍵合，并具有高導熱性和導電性。 這種有壓燒結銀AS9385技術良品率高，十分可靠。SHAREX善仁新材是燒結銀產(chǎn)品和服務的市場領導者。..09月11日
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87000.00元傳統(tǒng)釬焊料熔點低、導熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應用要求。此外隨著第三代半導體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對封裝的性能方面提出了更為嚴苛的要求。AS9385有壓銀燒..09月11日
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87000.00元銀燒結是一種經(jīng)過驗證的芯片粘接技術，可確保無空隙和高強度鍵合，并具有高導熱性和導電性。 這種有壓燒結銀AS9385技術良品率高，十分可靠。有壓銀燒結AS9385是一種新型的高可靠芯片粘接和鍵..09月11日
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87000.00元①燒結連接層成分為銀，具有優(yōu)異的導電和導熱性能；②由于銀的熔點高達（961℃），將不會產(chǎn)生熔點小于300℃的軟釬焊連接層中出現(xiàn)的典型疲勞效應，具有極高的可靠性；相對于焊料合金，銀燒結技術可..09月11日
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89000.00元燒結銀可以解決現(xiàn)有存在的五個難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標是提高功率（電流，電壓）——降低半導體控制和開關時損耗——擴展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月11日
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87000.00元銀燒結是一種經(jīng)過驗證的芯片粘接技術，可確保無空隙和高強度鍵合，并具有高導熱性和導電性。 這種有壓燒結銀AS9385技術良品率高，十分可靠。①燒結連接層成分為銀，具有優(yōu)異的導電和導熱性能；..09月11日
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87000.00元傳統(tǒng)釬焊料熔點低、導熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應用要求。此外隨著第三代半導體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對封裝的性能方面提出了更為嚴苛的要求。AS9385有壓銀燒..09月11日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進一步提高，對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。燒結銀技術的優(yōu)勢與特點 1.什..09月11日
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87000.00元傳統(tǒng)釬焊料熔點低、導熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應用要求。此外隨著第三代半導體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對封裝的性能方面提出了更為嚴苛的要求。AS9385有壓銀燒..09月11日
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89000.00元目前盡可能從機械方面集成電力電子系統(tǒng)所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發(fā)展。由于材料的熱膨脹系數(shù)不同、高溫波動和運行過程中的過度負載循環(huán)將導..09月11日
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