- 信息報(bào)價(jià)
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0.05元二極管B5819W參數(shù) 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 PD功率：250mW VRM電壓 ：40V IO電流：1A VF大正向電壓 ：0.9v Test Condition IF(A)電流 ：3A IR大峰值反向電流 ：1uA Test Condition VR電壓:40V trr反..09月08日 -
編輯人：LL MBR20200FCT肖特基二極管，ASEMI品牌MBR20200FCT 型號(hào)：MBR20200FCT ? ? ? ? 品牌：ASEMI 封裝：TO-220 特性：肖特基二極管 ?★電性參數(shù)：20A，200V ?★芯片材質(zhì)：SI ?★正向..09月26日
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編輯人：LL SBT10100VCT 低壓降肖特基二極管 ASEMI品牌SBT10100VCT low vf 型號(hào)：SBT10100VCT 品牌：ASEMI 封裝：ITO-220AB 特性：肖特基二極管 ?★電性參數(shù)：10A100V ?★芯片材質(zhì)：SI ..09月19日
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編輯人：LL SBT10100UFCT 低壓降肖特基二極管 ASEMI品牌SBT10100UFCT low vf 型號(hào)：SBT10100UFCT 品牌：ASEMI 封裝：ITO-220AB 特性：肖特基二極管 ?★電性參數(shù)：10A100V ?★芯片材質(zhì)：S..09月19日
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編輯人：LL SBT1045VFCT 低壓降肖特基二極管 ASEMI品牌SBT1045VFCT low vf 型號(hào)：SBT1045VFCT 品牌：ASEMI 封裝：ITO-220AB 特性：肖特基二極管 ?★電性參數(shù)：10A45V ?★芯片材質(zhì)：SI ?..09月19日
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編輯人：LL BD10200CS 肖特基二極管 臺(tái)灣原裝BD10200CS 型號(hào)：BD10200CS ? ? ? 品牌：ASEMI 封裝：TO-252 特性：肖特基二極管 ?★電性參數(shù)：10A 200V ?★芯片材質(zhì)：si ?★正向電流(Io)：..09月15日
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編輯人：LL SB10150LCT 低壓降肖特基 ASEMI品牌 型號(hào)：SB10150LCT 品牌：ASEMI 封裝：TO-220AB 特性：超低VF值 ★電性參數(shù)：10A 150V★芯片材質(zhì)：si★正向電流(Io)：10A★芯..09月14日
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編輯人：MM asemi 強(qiáng)元芯12年專業(yè)生產(chǎn)SB2045LCT，擁有170人研發(fā)團(tuán)隊(duì)和8500㎡肖特基生產(chǎn)廠， SB2045LCT 等肖特基均采用俄羅斯Mikron芯片，28條臺(tái)灣健鼎測(cè)試線，確保 ..09月03日
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MBR20200CT 肖特基二極管， ASEMI 品牌進(jìn)口 MBR20200CT 型號(hào)： MBR20200CT 品牌： ASEMI 封裝： TO-220 特性：肖特基二極管 ★電性參數(shù)： 20A ， 200V ★..02月27日
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<p><span style="font-size:21px">MBR2045CT</span><span style="font-size:21px;font-family:宋體">肖特基二極管，</span><span style=02月23日
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肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大..09月20日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月20日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..09月20日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月20日
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SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載..09月20日
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肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..09月20日
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肖特基二極管作為一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件，在PCB電路設(shè)計(jì)與SMT貼片生產(chǎn)制造中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過(guò)深入了解肖特基二極管的特性、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景，我們可以更好地利用這一器件，提高電路性能..09月20日
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肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..09月20日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..09月20日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月20日
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