實時多通道并行圖像處理,專利技術的全硬件架構,無運動拖尾和鋸齒；　單機高可以支持30720*1080LED等效點陣,多機并聯(lián)可以驅動無限幅度LED點陣； APSP技術,自定義圖像輸出的大小以及輸出位置。 具有值機功能，即可以通過監(jiān)視器時時觀看LED大屏幕的狀態(tài)(選配)。 幀同步技術，各輸出圖像間無錯位和延遲； 多窗口控制疊加顯示技術,實現(xiàn)任意信號的窗口疊加、漫游、縮放以及無縫切換； 針對LED顯示領域的多種特殊顯示驅動模式； 所見即所得軟件操控界面，無需復雜的窗口預設操作； 16種不同模式場景預設； 預留LED發(fā)送卡槽位，系統(tǒng)高度集成； 高可靠性和穩(wěn)定性，7天 / 24小時應用。 LED圖像處理器，內部無操作系統(tǒng)支持，上電即可工作，穩(wěn)定性高。 16種不同模式場景預設； 預留LED發(fā)送卡槽位，系統(tǒng)高度集成； 高可靠性和穩(wěn)定性，7天 / 24小時應用。 LED圖像處理器，內部無操作系統(tǒng)支持，上電即可工作，穩(wěn)定性高。

采用LED光源進行照明，取代耗電的白熾燈，然后逐步向整個照明市場進軍，將會節(jié)約大量的電能。近期，白色LED已達到單顆用電超過1瓦，光輸出 25流明，也增大了它的實用性。

50年前人們已經了解半導體材料可產生光線的基本知識，個商用二極管產生于1960年。LED是英文LightEmittingDiode（發(fā)光二極管）的縮寫，它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料，置于一個有引線的架子上，然后四周用環(huán)氧樹脂密封，起到保護內部芯線的作用，所以LED的抗震性能好。

90年代初，發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發(fā)成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區(qū)（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區(qū)域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光。現(xiàn)在，對于InGaN/YAG白色LED，通過改變YAG 熒光粉的化學組成和調節(jié)熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

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