碳化硅晶錠生產(chǎn)廠家6英寸碳化硅晶體工廠
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更新時間：2024-06-05 信息編號：4633akom8f9925

￥2

≥ 1毫米

價格：
2.00 元
品牌：
HMT
用途：
襯底
關鍵詞：
碳化硅晶棒廠家,碳化硅晶體工廠,碳化硅晶錠廠家

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碳化硅晶錠生產(chǎn)廠家6英寸碳化硅晶體工廠

產(chǎn)品別名	碳化硅晶錠,碳化硅晶棒	面向地區(qū)	江蘇蘇州	品牌	HMT
用途	襯底	功率	10w	型號	SMD

碳化硅晶錠生產(chǎn)廠家 6英寸碳化硅晶體工廠
蘇州恒邁瑞公司生產(chǎn)供應6英寸碳化硅晶錠，測試級碳化硅晶體用于多線切割設備測試或切磨拋碳化硅襯底片。我司碳化硅晶錠類型分為導電型及半絕緣型。
SiC碳化硅材料開關損耗極低，全SiC功率模塊的開關損耗大大低于同等IGBT模塊的開關損耗，而且開關頻率越高，與IGBT模塊之間的損耗差越大，這就意味著對于IGBT模塊不擅長的高速開關工作，全SiC功率模塊不僅可以大幅降低損耗還可以實現(xiàn)高速開關。
SiC碳化硅材料具備更低的通態(tài)電阻，阻值相同的情況下可以縮小芯片的面積，SiC功率模塊的尺寸可達到僅為Si的1/10左右。SiC的禁帶寬度3.23ev，相應的本征溫度可高達800攝氏度，承受的溫度相對Si更高；SiC材料擁有3.7W/cm/K的熱導率，而硅材料的熱導率僅有1.5W/cm/K，更高的熱導率可以帶來功率密度的顯著提升，同時散熱系統(tǒng)的設計更簡單，或者直接采用自然冷卻。

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