配有全彩顯示屏，引進更為的LED進口管芯，使得屏幕成像高清、色彩均勻、耗功較小，屏體輕便、屏層較薄、廣域視角，因此其出現故障幾率小、便于維修養(yǎng)護。

采用LED光源進行照明，取代耗電的白熾燈，然后逐步向整個照明市場進軍，將會節(jié)約大量的電能。近期，白色LED已達到單顆用電超過1瓦，光輸出 25流明，也增大了它的實用性。

50年前人們已經了解半導體材料可產生光線的基本知識，個商用二極管產生于1960年。LED是英文LightEmittingDiode（發(fā)光二極管）的縮寫，它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料，置于一個有引線的架子上，然后四周用環(huán)氧樹脂密封，起到保護內部芯線的作用，所以LED的抗震性能好。

早應用半導體P-N結發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光（λp=650nm），在驅動電流為20 毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED產生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

90年代初，發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發(fā)成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區(qū)（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區(qū)域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光。現在，對于InGaN/YAG白色LED，通過改變YAG 熒光粉的化學組成和調節(jié)熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

近幾年,白光LED的研發(fā)成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發(fā)表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產生138 lm與155 lm(lumen，流明)，他們均使用1mm大小的芯片并驅動于350mA下;美國LED大廠Cree公司宣布,其白光發(fā)光二極管實現每瓦161lm/W.可見,白光LED在高發(fā)光效率,高照明方面有著誘人的前景.

目前除日亞化學和住友電工外，還有豐田合成、羅沐、東芝和夏普，美商Cree，全球3大照明廠奇異、飛利浦、歐司朗以及HP、Siemens、Research、EMCORE等都投入了該產品的研發(fā)生產，對促進白光LED產品的產業(yè)化、市場化方面起到了積極的促進作用。
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