開封市政太陽能路燈全套生產(chǎn)廠家

今年夏天可謂是，數(shù)十年來平均溫度高的一年了，持續(xù)一周多的連續(xù)40°C高溫，但是面對這種高溫天氣，我們的開封太陽能路燈產(chǎn)品根本無所謂拒，所有開封太陽能路燈的部件中，對環(huán)境要求高的是我們的膠體免維護(hù)蓄電池，但是我們的膠體電池的正常工作溫度環(huán)境是零下40度至80度的范圍，所以不論您的太陽能路燈裝在中國冷的北方，亦或是中國的新四大火爐，我們江蘇斯美爾光電科技有限公司生產(chǎn)的開封太陽能路燈依舊能夠正常穩(wěn)定的工作，不會因?yàn)樾⌒〉臍鉁馗淖兌霈F(xiàn)什么差錯。

 開封市政太陽能路燈廠家排名流子簡介1載流子的定義，從上面的表述可知，半導(dǎo)體在0K時，電子填滿價帶，導(dǎo)帶是空的，不能導(dǎo)電。但是若溫度大于0K,由于溫度的影響，電子在熱激發(fā)下有可能克服原子的束縛而跳躍出來，使其價鍵斷裂，這個電子就可以離開原來位置而在整個晶體中活動。也就是電子由價帶躍遷到導(dǎo)帶成為能導(dǎo)電的自由電子；與此同時，在價鍵中留下一個空位，稱為空穴?？昭梢员幌噜彎M鍵上的電子填充而出現(xiàn)新的空穴，這樣，空穴不斷被電子填充，又不斷產(chǎn)生新的空穴，結(jié)果形成空穴在晶體內(nèi)的移動?？昭梢员豢闯梢粋€帶正電的粒子，其所帶的電荷與電子相等，但符號相反。在半導(dǎo)體中這樣的自由電子和空穴統(tǒng)稱為載流子。單位體積的載流子數(shù)目，稱為載流子濃度，其中，電子濃度用〃表示，空穴濃度用P表示。一般情況下.自由電子和空穴在晶體內(nèi)的運(yùn)動是無規(guī)則的，因而并不產(chǎn)生電流。材料分為絕緣體、半導(dǎo)體和導(dǎo)體三類。在絕緣體中.材料的帶隙很寬.在室溫下，熱能只可將很少的電子從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶，載流子數(shù)目很少.所以材枓是不良導(dǎo)體。而金屬中的帶隙很小或者沒有帶隙，在金屬中總是有大量的載流子.因此金屬是良導(dǎo)體。半導(dǎo)體則介于絕緣體和金屬之間。在室溫下，價帶中的一些電子受到激發(fā)可以得到足夠的熱能?越過帶隙到達(dá)導(dǎo)帶，因而在這些半導(dǎo)體材料內(nèi)便會產(chǎn)生一定數(shù)量的載流子.增加電流的傳輸能力=本征半導(dǎo)體及摻雜，本征半導(dǎo)體通常是指這樣一種半導(dǎo)體材料.即它的雜質(zhì)含量小于熱激發(fā)的電子數(shù)和空穴數(shù)，或者本征半導(dǎo)體是沒有添加其他雜質(zhì)的天然材料s在熱平衡條件下.本征半導(dǎo)體中電子濃度和空穴濃度相等，即.如在室溫下.硅的1為了獲得所需性能的材料，人們?nèi)藶榈貙⒛撤N雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體忖料中.這樣的過程稱為摻雜。硅是IV族元素，四個價電子與周圍的四個硅原子形成共價鍵如果在硅中摻人V族元素，如磷或砷，如圖4-6(b)所示.那么V族元素中的四個價電子與尚圍的四個硅原子形成共價鍵，還剩一個電子，它無法進(jìn)入共價鍵結(jié)構(gòu).因而它的束縛很弱迮室溫下.該電子很容易掙脫晶格的束縛而自由運(yùn)動，形成載流子。因此，這類V族元素的雜質(zhì)起到提供電子的作用，稱為施主型雜質(zhì)，該雜質(zhì)的濃度用/Vd表示。這樣的半導(dǎo)體材料則稱為M'S半導(dǎo)體.其中.電子為多數(shù)載流子（簡稱多子），而空穴為少數(shù)載流子（簡稱少子）。若在硅中摻人U1族元素，如硼，如圖4-6(a)所示，土彳硼和相鄰的卩L1個硅原子做共價鍵結(jié)合時，還少一個電子，所以要從其他硅原子的價鍵中獲取一個電子來填補(bǔ)。這樣就在硅中產(chǎn)生了—個空穴，而硼原子則由于接受了一個電子而成為帶負(fù)電的硼離子。這樣丨丨丨族元素在材料中起到接受電子而產(chǎn)生空穴的作用，所以稱為受主塑雜質(zhì)，該半濘體付料稱為P咽半導(dǎo)體.其中，空穴數(shù)目遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過電子數(shù)目，導(dǎo)電主要由空穴決定，因此空穴為多數(shù)載流子，而電子為少數(shù)載流子下面再從能帶的角度來形象地解釋摻雜作用。如圖4-7所示，在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，雜質(zhì)原子的電子或空穴的能級處于禁帶之中，形成雜質(zhì)能級。按照雜質(zhì)能級在禁帶中的位置，可以分為深雜質(zhì)能級和淺雜質(zhì)能級。在禁帶中遠(yuǎn)離導(dǎo)帶或價帶的雜質(zhì)能級稱為深雜質(zhì)能級，而將靠近導(dǎo)帶或價帶的能級稱為淺雜質(zhì)能級，當(dāng)電子或空穴吸收能量時.施主或受主能級上的電子或空穴將被釋放出來.跳到導(dǎo)帶或價帶上而形成能自由移動的載流子，這樣的過程稱為電離，電離過程所需的能量稱為電離能。由于電離能很小，在一般的使用溫度下.N型半導(dǎo)體的施主型雜質(zhì)和P型半導(dǎo)體的受主型雜質(zhì)JL乎全部電離。因此從能帶理論看，摻雜就是改變半導(dǎo)體能帶中電子多少的手段.摻進(jìn)施主型雜質(zhì).相當(dāng)于給能帶里放進(jìn)一些電子；而摻進(jìn)受主型雜質(zhì)，相當(dāng)于從能帶里取走一些電子（也可以說是加入一些空穴）。

 開封市政太陽能路燈廠家全套生產(chǎn)態(tài)密度和費(fèi)米分布函數(shù)當(dāng)能量時是允許能帶.但是每個能級上所能存在的狀態(tài)數(shù)卻是不一樣的，通常把對狀態(tài)的能量分布稱為態(tài)密度，用仏（￡：)表示導(dǎo)帶中態(tài)密度，心（￡)表示價帶中態(tài)密度，物理含義為在單位體積單位能量間隔內(nèi)的量子態(tài)數(shù)，即量子態(tài)數(shù)/cm3?eV。在半導(dǎo)體材料中，態(tài)密度隨能級呈拋梅錢形增加的關(guān)系，即（￡—&)12或（Ev—E)l/2越大時，態(tài)密度也越大。從態(tài)密度可求得已知能量內(nèi)的狀態(tài)數(shù)，但是電子并不一定會占據(jù)該狀態(tài)，即電子占據(jù)允帶中某一狀態(tài)是遵循一定概率的，這個概率稱為費(fèi)米分布函數(shù)/(￡)。它描述在熱平衡條件下，能量為的有效狀態(tài)被電子占據(jù)的概率，用數(shù)學(xué)公式可表示為,(E)_j^(E-Ef)/hT    (4_1)式中，為費(fèi)米能級4為玻爾茲曼常數(shù)；了為溫度。當(dāng)溫度趨向于零度時，若￡<EK，則/(E)—1;若￡>FF，則/(￡)—0。也就是說，在零度時.能量比小的量子態(tài)全被電子占據(jù)/而能量比&大的量子態(tài)全部是空的。當(dāng)溫度大于零度時，￡：,.時，則/(￡)=12.因此，費(fèi)米能級可以理解為電子出現(xiàn)慨率為]/2時所對應(yīng)的能級：當(dāng)時.則/(E)+】2;，f:hY時./(￡)>1/2。而費(fèi)米能級的位置往往與摻雜元尜和濃度有關(guān).N咽半導(dǎo)體中的費(fèi)米能級處于禁帶中央到導(dǎo)帶之間，摻雜濃度越大.則費(fèi)米能級越接近導(dǎo)帶，如圖1-8所示相反.P型半導(dǎo)體中的費(fèi)米能級處于價帶與禁帶中央之間.摻雜濃度越大.則費(fèi)米能級越接近價帶：3摻雜濃度非常高時.費(fèi)米能級到達(dá)導(dǎo)帶底或價帶頂甚至"r能進(jìn)到導(dǎo)帶或價帶中?這時/i?:貲米能級以下或以上的導(dǎo)帶或價帶能級將大部分被電子或空穴所填滿.這種情況稱為|u子或々:穴的簡并.這種半導(dǎo)體則稱為簡并半導(dǎo)體。平衡時載流子濃度，根據(jù)上面介紹知道，仏（￡：)df：可以用來表濠在能*F到E^(丨E間單位體積內(nèi)導(dǎo)帶狀態(tài)的數(shù)目，而電子占據(jù)能量為E的概率為/(￡).因此.在￡到dEN單位體積導(dǎo)帶內(nèi)共有&(￡：>/(E)d￡：個電子.將它對帶進(jìn)行積分.就得到丫導(dǎo)帶屮的電F總玫.因此終得到結(jié)果為/J=\Vr'   V"   (4-3)式屮，分別代表導(dǎo)帶和價帶的有效態(tài)密度..對于本征半導(dǎo)體的特殊情況.設(shè)"二.則>1,=Nce'L,1''"=N,v''''"    (4-4)根據(jù)上式可求出/V,.、/Vv為N,=       ,,，、-K，tT.hv1'       丨:…丨   (4-5)后，將式（4-5)代人式（.13)以消去、A/\可得"="丨…(4-6)上式適用于所有平衡狀態(tài)下的半導(dǎo)體材料.可以符出?乍征載流子濃度在對載流子濃度進(jìn)行定量計算時具有重要意義。若將上式兩邊相乘.可以得到一個重要的關(guān)系式:>ip=>i;(4-7)乘積的關(guān)系式在實(shí)際的計算中是非常有用的。如果LL知某種載流子的濃度，使用式(4-7)就可以得到另一種載流子的濃度，同時該式乂說明.(Y:-定的溫度下.任何非簡并半導(dǎo)體的平衡載流子濃度的乘枳等于該溫度時本征栽流子濃度的平4所含雜質(zhì)無關(guān)。1漂移，漂移的定義和圖像，帶電粒子在外電場作用下的運(yùn)動定義為漂移。在半導(dǎo)體內(nèi)載流子的漂移運(yùn)動從微觀上可描述如下（見圖49:&一塊均勻，導(dǎo)體的兩端加電壓.則半導(dǎo)體內(nèi)部就形成電場￡：.帶正電的空穴受電場力的作用.按照電場的方向做加速運(yùn)動；而帶負(fù)電的電子的運(yùn)動方向與電場方向相反。由于電離的雜質(zhì)職子和熱振動的晶格原子不斷地與載流子發(fā)生碰撞，因此碰撞后載流子的加速度不斷改變.位是總的凈結(jié)果仍為載流子沿著電場方向的運(yùn)動。從微觀I:仔細(xì)分折單個載流子的漂移運(yùn)動是非常復(fù)雜和相當(dāng)煩瑣的。幸運(yùn)的是.可測量性是宏觀可觀測的.它丨N反映r載流子平均或整體的運(yùn)動。在任意給定的時間間隔內(nèi)所有電子或空穴的平均.對于每種載流子運(yùn)動所產(chǎn)的結(jié)果.可表示為固定的漂移速度項(xiàng).即％，換句話說.在宏觀尺度上.漂移R不過足?看得見所有類型的載流子.沿著電場方向平行或反平行方向以固定的速度運(yùn)動而已。漂移電流，載流子漂移的結(jié)果是在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電流的流動.即/(電流）=單位時間內(nèi)流過垂直于電流流動方向任意平面上的電荷數(shù)。如圖i-10所不，若考慮P塑半導(dǎo)體棒，其有效截面積為A.對于棒內(nèi)任意選擇的垂直于抑的平面可得=丨A電流通常表示為一個標(biāo)量，而事實(shí)上電流應(yīng)該是一個矢量，更常用的是電流密度J?./的方向與電流的方向一致并且等于犖位面積上電流的大小，可表示為/丨,,丨=("抑‘丨(4-9)既然漂移電流的產(chǎn)生是由外加電場引起的，因此電流密度也必然1彳電場強(qiáng)度F有關(guān)?這主要體現(xiàn)在％與￡：的依賴關(guān)系為在式（4-10)中，出現(xiàn)了一個新的物理量^.這是半導(dǎo)體材料中一個非常重要的量，稱為遷移率，是表示由漂移引起的電子和空穴傳輸性質(zhì)的重要參數(shù)之一。這里用&表示電子遷移率?用表不空穴電移率，它的單位為cnrV?s。溫度為300K時./V?=10ncm.乂二價丨哪：的摻雜硅計算得?s",，11500px:/V.s。又如.高純凈砷化鎵材料.在室溫下的遷移率分別為,u,,^8000CnrV10pxVV*s。這些數(shù)值對于數(shù)值的比較和計算結(jié)果的數(shù)量級驗(yàn)證是很有用的。對于硅和砷化鎵，/』?>/iP在常用半導(dǎo)體中.對于給定摻雜濃度和系統(tǒng)溫度f,,一般總是大于。遷移率的大小受到散射、摻雜與溫度的影響。散射越叫顯.則載流子在晶體中的碰撞就越頻繁，使遷移率變小。根據(jù)遷移率和散射的數(shù)量關(guān)系式發(fā)現(xiàn).若載流子的有效質(zhì)量越大，則遷移率越小。例如，砷化鎵中電子的有效質(zhì)量比硅的小.W此它的遷移率就比硅的高。

遷移率與摻雜的關(guān)系主要體現(xiàn)在：當(dāng)摻雜濃度較低時.載流子的遷移率基本上與摻雜無關(guān).而當(dāng)摻雜濃度較高時.遷移率會隨著摻雜濃度的增加而單調(diào)減小.，遷移率還會隨溫度的增加而逐漸減小。擴(kuò)散，擴(kuò)散是粒子有趨向地擴(kuò)展的過程，即由于粒子的無規(guī)則熱運(yùn)動?可以引起粒子由濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域在宏觀尺度上的移動，其結(jié)果使得粒子承新分布.擴(kuò)散進(jìn)程將產(chǎn)生粒子均勻分布的作用。擴(kuò)散主要是由濃度分布的不均勻引起的.即一定存在著不為零的濃度梯度（對于空穴有▽p尹0,對于電子有▽〃壚0。而且.濃度梯度較大時，發(fā)生擴(kuò)散的粒子也相應(yīng)地較多，因此，電子和空穴的擴(kuò)散電流密度可以表示如下：人,丨耵=▽w，./”山(f=—f,D丨,(4-12)式中，D,,和Dp是比例常數(shù)，它們的單位是cmVs,分別稱為空穴和電子的擴(kuò)散系數(shù)?？傠娏鳟?dāng)半導(dǎo)體有漂移和擴(kuò)散時，所產(chǎn)生的總電流或凈載流子電流是這兩種電流的總和。將式(4-11)和式（4]2)相加可得JP=qp^PE—qDl,Ap,J?=qpfinE+nDnVn     (4-13)半導(dǎo)丨本中所流過的總的粒子電流可由下式計算：J=Jn+Jp       (4-14)載流子產(chǎn)生和復(fù)合載流子的復(fù)合，載流子復(fù)合是指電子和空穴被湮滅或消失的過程。單位體積、單位時間內(nèi)復(fù)合掉的電子、空穴對數(shù)稱為復(fù)合率，因?yàn)閺?fù)合一般都是熱運(yùn)動進(jìn)行的.故用尺表示。那么電子空穴對的凈復(fù)合率為[/=尺--G,.其中G,為產(chǎn)生率。在熱平衡條件下，熱激發(fā)率總是等于熱復(fù)合率，而(7=—G,=0.熱產(chǎn)生率和熱復(fù)合率只是溫度的函數(shù)。為了描述復(fù)合的過程.引人一個重要的物理量——載流子的壽命。一個電子從產(chǎn)生到復(fù)合前的生存時間稱為電子的壽命f,,.一個空穴從產(chǎn)生到復(fù)合前的生存時間稱為空穴的壽命r,,。當(dāng)然?壽命是在統(tǒng)計意義上的錢流子的平均壽命，而不是單個電子或空六的壽命。在小注人條件下.只需考慮少子壽命。在N型半導(dǎo)體中.單位體積內(nèi)過剩空穴數(shù)為A^，單位時間、單位體積內(nèi)的凈復(fù)合率為L/，則N型半導(dǎo)體中空穴壽命rp(單位為s)為與此類似.P型半導(dǎo)體電子壽命^為r?=^或U=丄(》p—?p。）(4-16)UXn復(fù)合和產(chǎn)生互為逆過程.既然在產(chǎn)生時價帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶要吸收能量，那么導(dǎo)帶中的電子和價帶中的空穴復(fù)合時要釋放出能量。按照能量釋放方式以及微觀復(fù)合機(jī)理，復(fù)合主要分為以下幾種：直接復(fù)合（能帶到能帶的復(fù)合），直接復(fù)合是所有復(fù)合過程中簡單的。如圖4-11U)所示，它只包括導(dǎo)帶電子和價帶空穴的直接湮滅。電子和空穴在半導(dǎo)體晶格內(nèi)運(yùn)動，它們漂移進(jìn)入到相同的空間，彼此靠近并相互碰撞，從而形成電子和空穴的湮滅。這一過程中會發(fā)生過剩的能量的釋放，如產(chǎn)生光子。直接復(fù)合率尺應(yīng)正比于電子濃度及空穴濃度，對于N型半導(dǎo)體有R'=rn?pn       (4-17)式中為復(fù)合幾率。熱平衡時，尺一(^，^^?^^在小注人情況下多子濃度幾乎不變^卩?二于是凈復(fù)合率U為V=       =rnnn(pn—pnl))因此，直接復(fù)合壽命rP為Anp_1Umn{)圖411復(fù)合與產(chǎn)生過程的能帶示意圖可見.若復(fù)合幾率是常數(shù).則直接復(fù)合的壽命與多子濃度成反比。這樣求出的壽命.對于本征硅大約為,=3.5s?而硅中實(shí)際測得的壽命大不過JL毫秒.這說明對于硅，直接復(fù)合不是主要的。而對于禁帶寬度比較小的磷化銦（￡；=0?18eV)、碲（Fu=0.32eV)以及直接禁帶材料如砷化鎵（；=1…128eV)等，則直接復(fù)合是主要的間接復(fù)合（R-G中心復(fù)合或SRH復(fù)合），這是通過“第三部分”或中介物進(jìn)行的復(fù)合過程.如圖411(b)所示。它只在半導(dǎo)體內(nèi)復(fù)合中心的特殊位置發(fā)生。在物理匕，復(fù)合中心是晶格缺陷或特殊的雜質(zhì)原子.如硅中的金原子。與器件材料中的受主濃度和施主濃度相比?R-G中心的濃度通常是很低的。R—G中心重要的性質(zhì)是在靠近帶隙中心引入r允許電子u在KG屮心的復(fù)合是一個兩步過程。，由一種類勒的載流子（如電子）漂移進(jìn)人R-G中心附近，被與R—G中心相關(guān)的勢阱所捕獲，失去能量，且被俘獲于中心S面。隨丨5.出現(xiàn)空穴被浮獲的電子吸引，失去能量，并在中心內(nèi)與電子一N湮滅。N接復(fù)合的特點(diǎn)是復(fù)合過程中釋放熱量，或者相當(dāng)于產(chǎn)生晶格振動。

開封市政太陽能路燈價格表當(dāng).即復(fù)合中心能級靠近禁帶中心時，復(fù)合率大。也就是說，能級靠近禁帶中心的那些雜質(zhì)和缺陷足有效的復(fù)合中心.通常稱這種復(fù)合中心具有深能級。Ta、Mo、Nh、W、T!、V、Cr、Mn、Fc等雜質(zhì)比較靠近禁帶中心，實(shí)驗(yàn)表明這些雜質(zhì)能顯著影響太陽能電池的效率。對于N型硅，低注人條件下空穴壽命。為跟電子濃度尤關(guān)，是因?yàn)?/span>N塑半導(dǎo)體中有大量的電子，只要有一個空穴被俘獲中心俘獲，立刻就會有一個電子也被俘獲中心浮獲?從而完成復(fù)合過程。N樣對于P型硅?低注入條ft?下復(fù)合率和電子壽命：U^GVyN,(nv—；2[)0)注意:這里的不R包含雜質(zhì).而n包含山晶體的缺陷和位錯等引起的深能級復(fù)合中心。俄歇復(fù)合。俄歇過程如閣1-11(c)所，K.兩個N種類型的載流子發(fā)生碰撞.從而發(fā)生直接復(fù)合。復(fù)合所釋放的能It傳遞給經(jīng)過碰撞保存下宋的載流子。然后這個高能載流子與晶格碰撞產(chǎn)生熱量.從而失i?能量。因此.俄歇復(fù)合是一忡非輻射復(fù)合。如果摻雜半導(dǎo)體材料的帶隙很小或者光強(qiáng)很高，溫度很高（如聚光太m能電池），載流子濃度〃、P會很高，俄歇復(fù)合特別明顯。N型半導(dǎo)體的施主濃度或者f?導(dǎo)體的受主濃度/v?對俄歇復(fù)合的影響很大。在P5T卜導(dǎo)體中.少數(shù)載流子是電子.多數(shù)載流子是空穴^~A,Na。由式（4-16).俄歇復(fù)合率UAUB|j過剩少子濃度A"=成正比，即a?〇Aup式中，rAu8是N喂半導(dǎo)體的俄歇少子壽命。輻射復(fù)合主要發(fā)生在直接帶隙半導(dǎo)體中.而俄歇復(fù)合^直接帶隙和間接帶隙半導(dǎo)體中都會出現(xiàn)。俄歇復(fù)合是Si和Ge等間接帶隙半導(dǎo)體產(chǎn)生復(fù)合損耗的主耍機(jī)理，因此在間接帶隙中的俄歇復(fù)合比直接帶隙半導(dǎo)體中的重要得多。表面復(fù)合，表面復(fù)合速度是影響太陽能電池飽和喑電流和量子效率的一個覓要參數(shù)。與位錯和晶粒界面等面缺陷相似，表面包括界面會在帶隙中引入電子態(tài).其成閃歸結(jié)于斷鍵或應(yīng)變鍵以及雜質(zhì)。對表面復(fù)合的特性要有的了解.還注意到表而電荷會引起能帶彎曲。為獲得佳效率.表面復(fù)合應(yīng)該通過鈍化或能阻止少子到達(dá)表面的窗口S來減少。例如.用氧化層來鈍化硅表面.或者在GfiAs的表面生長一薄層GaAlAs窗口層在被氧化的硅表面，表面復(fù)合速度強(qiáng)烈地依賴于表面祖糙度、表咖污染以及氧化和退火過程。但是，在相同的工藝條件下，表面復(fù)合速度依賴于表面摻雜濃度Cuevas等人提出用以下經(jīng)驗(yàn)公式來描述表面復(fù)合速度與摻雜濃度的關(guān)系在砷化鎵中，表面復(fù)合速度非常大（達(dá)到l〇"cms量級）:：何是.;')[mGaAlAs薄層可以將表面復(fù)合速度降至1〇?〗〇75px/.s。對于晶體硅太陽能電池而言.制造工藝中的真空蒸鍍氮化硅減反射膜同時對硅表面進(jìn)行鈍化.降低r硅太陽能電池的表而鉍合速度=各種太陽能電池絕大多數(shù)工作在小注人情況下.同時存在以上所述的少數(shù)載流子復(fù)合過程.常用少子壽命來綜合描述。P型材料復(fù)合率可以寫成式（4.16).P型材料復(fù)合率可以被寫成式U.15)。兩式中r?、rP即為電子和空穴的少子壽命。壽命的倒數(shù)一復(fù)合率常數(shù)是影響壽命的各種復(fù)合因素的總和。壽命對載流子擴(kuò)散的輸運(yùn)特性的影響可以通過擴(kuò)散長度來研究擴(kuò)散民度的定義為L=v;Or(4-31)式中，D是少子的擴(kuò)散系數(shù)。但是如果在電場E中的漂移是主要的輸運(yùn)機(jī)制.則定義漂移長度更恰當(dāng)，B|]j/n)式中的電子和空穴分別為少子。該參數(shù)對分析PIN結(jié)構(gòu)的彳丨.晶硅薄膜太陽能電池有重要作用。對于晶體硅，豐富的可用數(shù)據(jù)可以確定少子壽命的數(shù)值以及溫度和摻雜濃度對它的影響。結(jié)合本征硅材料的復(fù)合，缺陷對載流子壽命的影響符合下Ifl丨的經(jīng)驗(yàn)公式：晶體硅的表面復(fù)合所導(dǎo)致的少子的有效壽命滿足經(jīng)驗(yàn)公式：式中.s是表面復(fù)合速度：W是晶片的厚度；A是樣品的面積。研究喪明，對于工作在同一太陽輻照下的晶體硅太陽能電池.間接復(fù)合與表面復(fù)合是主導(dǎo)的復(fù)合機(jī)制：對于高光照強(qiáng)度高溫的聚光太陽能電池.俄歇復(fù)合是主導(dǎo)的復(fù)合機(jī)制。對于直接帶隙材料如〗nP、GaAs等太陽能電池，直接復(fù)合是其主導(dǎo)的復(fù)合機(jī)制。

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