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深圳GSI鉭鈮礦檢測(cè)技術(shù)有限公司擁有大型的實(shí)驗(yàn)室，配備精良的測(cè)試儀器，與華南地區(qū)各實(shí)驗(yàn)室存在廣泛的合作關(guān)系。我們致力于以能力為客戶搭建一條、快速、優(yōu)惠的檢測(cè)認(rèn)證通道；幫助客戶減少開發(fā)風(fēng)險(xiǎn)、縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品成本；及時(shí)獲得各國市場(chǎng)的準(zhǔn)入證。
研究表明，影響氮化鉭薄膜結(jié)合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度，氮分壓比、濺射電流為次要因素；氮分壓對(duì)氮化鉭薄膜的硬度影響較大
利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對(duì)磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化
氮化鉭為黃綠色結(jié)晶，屬型結(jié)晶，相對(duì)密度為15.6。晶格常數(shù)為a=0.4336nm，c=0.4150nm。熔點(diǎn)為2950℃，顯微硬度為3200kg/mm2，轉(zhuǎn)化點(diǎn)溫度為17.8K。
利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細(xì)?。ǎ保叮睿碜笥遥?；同時(shí)還發(fā)現(xiàn)，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長的晶面會(huì)有改變。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕
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