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目前進(jìn)的量產(chǎn)工藝已經(jīng)達(dá)到7nm、5nm，工藝產(chǎn)業(yè)化已取得重大突破，并有望繼續(xù)推進(jìn)至3nm工藝。英特爾、臺(tái)積電、三星等企業(yè)在工藝方面持續(xù)推進(jìn)。英特爾2018年量產(chǎn)10nm，2020年以后預(yù)計(jì)推出7nm。
2、識(shí)別：電容的識(shí)別與電阻的識(shí)別基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。這里有很要害的一點(diǎn)需求清晰：無論是直流仍是溝通，抱負(fù)的電容器內(nèi)部是不會(huì)有任何電荷經(jīng)過的，僅僅兩極板電荷量比照發(fā)作了改變，然后發(fā)作了電場(chǎng)。離其越近，前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下。這些會(huì)使得失誤甚至硬件損壞。
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