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設(shè)計與仿真編輯在直拉法生長硅單晶的過程中，硅單晶生長的成功與否以及質(zhì)量的高低是由熱場的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱場，不僅硅單晶生長順利,而且品質(zhì)較高；如果熱場的溫度分布不是很合理，生長硅單晶的過程中容易產(chǎn)生各種缺陷，影響質(zhì)量，情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長不出來單晶。因此在投資硅單晶生長企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長設(shè)備，配置出合理的熱場,從而保生產(chǎn)出來的硅單晶的品質(zhì)。在直拉硅單晶生長工藝中,一般采用溫度梯度來描述熱場的溫度分布情況，其中在固液界面處的溫度梯度為關(guān)鍵。數(shù)值模擬是在一個低成本的情況下,利用電腦計算提供的詳盡資料，用以支持真正的（且昂貴）實驗。

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