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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長(zhǎng)方法，用直拉法生長(zhǎng)單晶的設(shè)備和工藝比較簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。江南電力光伏科技有限，引進(jìn)消化吸收國(guó)外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽(yáng)能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長(zhǎng)爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長(zhǎng)爐（TDR85/95/105-JN）單晶硅生長(zhǎng)爐（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自動(dòng)晶體生長(zhǎng)爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長(zhǎng)P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)單晶硅棒。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長(zhǎng)晶爐回收，多晶長(zhǎng)晶爐回收，臥式長(zhǎng)晶爐回收，拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶硅生長(zhǎng)爐的特點(diǎn)HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計(jì)。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動(dòng)，便于裝料和維護(hù)等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計(jì)，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺(tái)的上面，便于平臺(tái)下面設(shè)備的維護(hù)。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡(jiǎn)便干凈。全自動(dòng)控制系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，維護(hù)方便，可靠性高，抗干擾性好。雙攝像頭實(shí)時(shí)采集晶體直徑信息。液面測(cè)溫確保下籽晶溫度和可重復(fù)性。爐內(nèi)溫度或加熱功率控制方式可選，?？販鼐?。質(zhì)量流量計(jì)控制流量。真空計(jì)結(jié)合電動(dòng)蝶閥實(shí)時(shí)控制爐內(nèi)真空度。

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所述氣流導(dǎo)向裝置20的中軸孔2-1與該爐的石墨中軸21活 動(dòng)密封連接，以防止因該中軸孔2-1與石墨中軸21之間的間隙而漏氣，影 響排氣效果，氣流導(dǎo)向裝置20的電極孔2-2分別與該爐的電極柱15密封連 接，以防止因該電極孔2-2與電極柱15之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的保溫 筒17密封連接，以防止因氣流導(dǎo)向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的 保溫筒17之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20各通氣孔2-3與該爐的排氣口 13通過(guò)通 氣管19相連通，以提高排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20由石墨制成，石墨具有強(qiáng)度高、抗熱震性好、耐 高溫、抗氧化、電阻系數(shù)小、耐腐蝕、易于精密機(jī)加工等優(yōu)點(diǎn)。