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除塵器內(nèi)的空間由圓柱容器經(jīng)上、下蓋密封形成,整個(gè)空間分成兩大區(qū)域:除塵區(qū)域和排氣區(qū)域。含塵氣流由切線進(jìn)氣口進(jìn)入除塵區(qū)域,沿外壁由下而上螺旋形旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。氣流作旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)時(shí),塵粒在慣性離心力的推動(dòng)下,要向圓柱容器內(nèi)壁移動(dòng)。到達(dá)內(nèi)壁的塵粒在氣流和重力的共同作用下,沿壁面落到容器底部。這種情況,離心力是除塵器的主要作用力,塵粒與氣流分離界面是圓柱容器的內(nèi)壁。還有,圓柱容器內(nèi)設(shè)置內(nèi)外兩層金屬網(wǎng),內(nèi)層金屬網(wǎng)纏繞于內(nèi)側(cè)的6 根金屬桿上。外層金屬網(wǎng)纏繞于外側(cè)的8 根金屬桿上。這14 根金屬桿被固定在上盤和盤上。它們固聯(lián)于圓柱容器上法蘭。圓柱容器設(shè)置的排氣筒是排氣區(qū)域。
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直拉式單晶生長(zhǎng)爐的制作方法、專利名稱:直拉式單晶生長(zhǎng)爐的制作方法、技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長(zhǎng)爐。背景技術(shù):圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖;圖1-2 中,l為爐筒,2為保溫蓋,3為保溫蓋,4為保溫材津牛,5為保溫罩,6為 加熱器,7為水套,8為石英堝,9為導(dǎo)流筒,IO為爐底護(hù)盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長(zhǎng)過(guò)程中需要向爐內(nèi)不斷充入,并與爐內(nèi)生成的 一氧化硅及雜質(zhì)粉塵混合,由于單晶爐內(nèi)的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成, 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質(zhì)粉塵易吸附在這些器 件上,從而影響了單晶爐的使用壽命。分子泵回收,真空泵回收,真空流量計(jì)回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,產(chǎn)品介紹:SG-XQL1400型箱式真空氣氛爐以硅碳棒為加熱元件,,采用智能化控溫系統(tǒng),移相觸發(fā)、可控硅控制;爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料,保溫效果好;雙層殼體結(jié)構(gòu),帶有風(fēng)冷和水冷系統(tǒng),能快速降溫,爐門配有循環(huán)水冷,防止密封圈過(guò)快老化,保爐門與爐膽的可靠密封。主要用途和適用范圍\可應(yīng)用于電子元器件、新型材料及粉體材料的真空或氣氛條件下的熱處理工藝。也用于冶金、機(jī)械、輕工、商檢、高等院校及科研部門、工礦企業(yè)電子陶瓷產(chǎn)品的預(yù)燒、燒結(jié)、釬焊等工藝。主要功能和特點(diǎn):1、