大量回收服務(wù)器淘汰二手SAS硬盤(pán)、SATA硬盤(pán)、2.5英寸硬盤(pán)、IBM、希捷、WD、東芝、戴爾、華為、因特爾、日立、富士通等硬盤(pán)?；厥崭鞣N73G、146G、300G、600G、1T、2T、3T、4T、6T等大小容量網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器硬盤(pán)。上門(mén)回收各種拆機(jī)服務(wù)器硬盤(pán)、電源、內(nèi)存、主板等。

DRAM特點(diǎn)如下：
●存儲(chǔ)原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：?jiǎn)喂芑締卧?[8]
●刷新（再生）：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 [8]
●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）。 [8]
●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低，價(jià)格也低。 [8]
●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。 [8]
盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

網(wǎng)卡是一塊被設(shè)計(jì)用來(lái)允許計(jì)算機(jī)在計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)上進(jìn)行通訊的計(jì)算機(jī)硬件。由于其擁有MAC地址，因此屬于OSI模型的第1層和2層之間。它使得用戶(hù)可以通過(guò)電纜或無(wú)線相互連接。