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無(wú)錫存儲(chǔ)回收廠家電話

更新時(shí)間:2025-10-08 [舉報(bào)]

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(英語(yǔ):Random Access Memory,縮寫(xiě):RAM),也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)(刷新時(shí)除外),而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)的地址寫(xiě)入(存入)或讀出(取出)信息。它與ROM的大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性,即一旦斷電所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將隨之丟失。RAM在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來(lái)暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)既可向單元存入信息又可從單元讀出信息。任何RAM中存儲(chǔ)的信息在斷電后均會(huì)丟失,所以RAM是易失性存儲(chǔ)器。

現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進(jìn)制),未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形,若不作特別處理,數(shù)據(jù)會(huì)漸漸隨時(shí)間流失。刷新是期讀取電容器的狀態(tài),然后按照原來(lái)的狀態(tài)重新為電容器充電,彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。

網(wǎng)卡是一塊被設(shè)計(jì)用來(lái)允許計(jì)算機(jī)在計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)上進(jìn)行通訊的計(jì)算機(jī)硬件。由于其擁有MAC地址,因此屬于OSI模型的第1層和2層之間。它使得用戶可以通過(guò)電纜或無(wú)線相互連接。

每一個(gè)網(wǎng)卡都有一個(gè)被稱為MAC地址的的48位串行號(hào),它被寫(xiě)在卡上的一塊ROM中。在網(wǎng)絡(luò)上的每一個(gè)計(jì)算機(jī)都擁有一個(gè)的MAC地址。

在安裝網(wǎng)卡時(shí)將管理網(wǎng)卡的設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序安裝在計(jì)算機(jī)的操作系統(tǒng)中。這個(gè)驅(qū)動(dòng)程序以后就會(huì)告訴網(wǎng)卡,應(yīng)當(dāng)從存儲(chǔ)器的什么位置上將局域網(wǎng)傳送過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)塊存儲(chǔ)下來(lái)。網(wǎng)卡還要能夠?qū)崿F(xiàn)以太網(wǎng)協(xié)議。

光纖網(wǎng)卡,指的是光纖以太網(wǎng)適配器,簡(jiǎn)稱光纖網(wǎng)卡,學(xué)名Fiber Ethernet Adapter.傳輸?shù)氖且蕴W(wǎng)通信協(xié)議,一般通過(guò)光纖線纜與光纖以太網(wǎng)交換機(jī)連接。按傳輸速率可以分為100Mbps、1Gbps、10Gbps,按主板插口類型可分為PCI、PCI-X、PCI-E(x1/x4/x8/x16)等,按接口類型分為L(zhǎng)C、SC、FC、ST等。

按照IEEE802.11協(xié)議,無(wú)線局域網(wǎng)卡分為媒體訪問(wèn)控制(MAC)層和物理層(PHY Layer)。在兩者之間,還定義了一個(gè)媒體訪問(wèn)控制-物理(MAC-PHY)子層(Sublayers)。MAC層提供主機(jī)與物理層之間的接口,并管理外部存儲(chǔ)器,它與無(wú)線網(wǎng)卡硬件的NIC單元相對(duì)應(yīng)。

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫(xiě),即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě),是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。

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