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半導體級直拉法的工藝控制\進入21世紀以來,隨著新興產(chǎn)業(yè)的科技創(chuàng)新,半導體行業(yè)得到了的發(fā)展。半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,尤其近幾年,大力發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè),縮短該行業(yè)與世界水平的差距。目前雖然有許多新興材料來替代硅材料,但未來幾年可以預見,硅材料由于其成熟的技術品質和穩(wěn)定的物理化學性質,將會在相當長的一段時間里是主流材料。硅單晶作為主要材料,應用的領域也是相當廣泛的。硅單晶是由多晶硅原料經(jīng)過物理變化,讓硅原子按照人為設定的方向進行生長,終形成的。一般會采用直拉法進行制備。晶圓的直徑越大,集成電路制造的成本將會越低,因此要求作為材料的硅單晶的直徑也要相應的增大。這里面涉及到了一系列問題。這篇論文主要討論的是通過對熱場的設計,工藝的過程控制,減少位錯的產(chǎn)生,以及通過化學腐蝕對位錯進行檢測的相關問題。