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除塵器內的空間由圓柱容器經上、下蓋密封形成，整個空間分成兩大區(qū)域：除塵區(qū)域和排氣區(qū)域。含塵氣流由切線進氣口進入除塵區(qū)域，沿外壁由下而上螺旋形旋轉運動。氣流作旋轉運動時，塵粒在慣性離心力的推動下，要向圓柱容器內壁移動。到達內壁的塵粒在氣流和重力的共同作用下，沿壁面落到容器底部。這種情況，離心力是除塵器的主要作用力，塵粒與氣流分離界面是圓柱容器的內壁。還有，圓柱容器內設置內外兩層金屬網，內層金屬網纏繞于內側的6 根金屬桿上。外層金屬網纏繞于外側的8 根金屬桿上。這14 根金屬桿被固定在上盤和盤上。它們固聯(lián)于圓柱容器上法蘭。圓柱容器設置的排氣筒是排氣區(qū)域。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，采用三相橋式全控整流電路將交流電整流為直流電，例如據(jù)把一根金屬圓柱體放在有交變中頻電流的感應圈里，金屬圓柱體沒有與感應線圈直接接觸，通電線圈本身溫度已很低，可是圓柱體表面被加熱到發(fā)紅，甚熔化，而且這種發(fā)紅和熔化的速度只要調節(jié)頻率大小和電流的強弱能實現(xiàn)。

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半導體級直拉法的工藝控制\進入21世紀以來,隨著新興產業(yè)的科技創(chuàng)新,半導體行業(yè)得到了的發(fā)展。半導體產業(yè)發(fā)展迅猛,尤其近幾年,大力發(fā)展半導體產業(yè),縮短該行業(yè)與世界水平的差距。目前雖然有許多新興材料來替代硅材料,但未來幾年可以預見,硅材料由于其成熟的技術品質和穩(wěn)定的物理化學性質,將會在相當長的一段時間里是主流材料。硅單晶作為主要材料,應用的領域也是相當廣泛的。硅單晶是由多晶硅原料經過物理變化,讓硅原子按照人為設定的方向進行生長,終形成的。一般會采用直拉法進行制備。晶圓的直徑越大,集成電路制造的成本將會越低,因此要求作為材料的硅單晶的直徑也要相應的增大。這里面涉及到了一系列問題。這篇論文主要討論的是通過對熱場的設計,工藝的過程控制,減少位錯的產生,以及通過化學腐蝕對位錯進行檢測的相關問題。