按封裝形式分，可分為同軸型，雙列直插型，TO封裝型，扁平封裝型，貼片封裝型，以及光纖傳輸型
按傳輸信號(hào)分，可分為數(shù)字型光電耦合器（OC門輸出型，圖騰柱輸出型及三態(tài)門電路輸出型等）和線性光電耦合器（可分為低漂移型，高線性型，寬帶型，單電源型，雙電源型等）。
按速度分，可分為低速光電耦合器（光敏三極管、光電池等輸出型）和高速光電耦合器（光敏二極管帶信號(hào)處理電路或者光敏集成電路輸出型）。
按通道分，可分為單通道，雙通道和多通道光電耦合器。
按隔離特性分，可分為普通隔離光電耦合器（一般光學(xué)膠灌封低于5000V，空封低于2000V）和高壓隔離光電耦合器（可分為10kV，20kV，30kV等）。
按工作電壓分，可分為低電源電壓型光電耦合器（一般5～15V）和高電源電壓型光電耦合器（一般大于30V）。

一、輸入特性
光耦合器的輸入特性實(shí)際也就是其內(nèi)部發(fā)光二極管的特性。常見的參數(shù)有：
1. 正向工作電壓Vf（Forward Voltage）
Vf是指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以If=20mA來測試正向工作電壓，當(dāng)然不同的LED，測試條件和測試結(jié)果也會(huì)不一樣。
2. 反向電壓Vr（Reverse Voltage ）
是指LED所能承受的大反向電壓，超過此反向電壓，可能會(huì)損壞LED。在使用交流脈沖驅(qū)動(dòng)LED時(shí)，要特別注意不要超過反向電壓。
3. 反向電流Ir（Reverse Current）
通常指在大反向電壓情況下，流過LED的反向電流。
4. 允許功耗Pd（Maximum Power Dissipation）
LED所能承受的大功耗值。超過此功耗，可能會(huì)損壞LED。
5. 中心波長λp（Peak Wave Length）
是指LED所發(fā)出光的中心波長值。波長直接決定光的顏色，對(duì)于雙色或多色LED，會(huì)有幾個(gè)不同的中心波長值。
6. 正向工作電流If（Forward Current）
If是指LED正常發(fā)光時(shí)所流過的正向電流值。不同的LED，其允許流過的大電流也會(huì)不一樣。
7. 正向脈沖工作電流Ifp（Peak Forward Current）
Ifp是指流過LED的正向脈沖電流值。為保證壽命，通常會(huì)采用脈沖形式來驅(qū)動(dòng)LED，通常LED規(guī)格書中給中的Ifp是以0.1ms脈沖寬度,占空比為1/10的脈沖電流來計(jì)算的。

CT Micro's 采用雙模塑共面 (DMC-Isolator ? ) 封裝技術(shù)，該技術(shù)采用獨(dú)特的封裝材料和工藝配方設(shè)計(jì)，可提供的可靠性和隔離性能的光耦合器。

二色成型共面（DMC-隔離?）優(yōu)勢。

的隔離性能
在升高的溫度下具有一致的傳輸特性性能
固定內(nèi)部隔離間隙（通過絕緣的厚度）。
無鉛且符合 RoHS。