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天津回收肖特基收購(gòu)鎧俠內(nèi)存

更新時(shí)間:2025-10-02 [舉報(bào)]
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先測(cè)試出可控硅的峰值電壓,將電線正負(fù)極連接至K兩極,接地線接至室內(nèi)主接地上,逐漸升壓,測(cè)試其漏電流數(shù)值。進(jìn)行漏電測(cè)試后,逐漸升壓,觀測(cè)漏電流,當(dāng)數(shù)值超過(guò)其額定峰值電壓后,可控硅被擊穿,但采用此方法可能會(huì)破壞其PN結(jié),并且只能測(cè)試其是否導(dǎo)通,而不能測(cè)試其導(dǎo)通是否良好,故不再采用此法進(jìn)行測(cè)試。搖表測(cè)試法用搖表對(duì)可控硅進(jìn)行測(cè)量,參照之前使用的漏電檢測(cè)法。為防止搖表法測(cè)試過(guò)程中擊穿或損壞可控硅,改變搖表操作方法,即要對(duì)搖表電壓和轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制,兩筆端鏈接K極對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。

標(biāo)簽:回收內(nèi)存條回收肖特基
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