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而邊壁的邊界層又是主要影響因素。另一機理是高濃度塵流中粉塵顆粒的擴散與凝聚這對矛盾中凝聚成為主要矛盾方面。粉塵顆?？梢员舜四墼谝黄?。又可能與實質(zhì)界面凝聚而吸附在其上面。通過這兩個機理，后粉塵從氣體中分離出來。 排塵過程排塵過程主要是經(jīng)分離界面以后已分離出來的粉塵排離排塵口，不同的除塵器排塵的作用力也不同。有些除塵器不需要再加額外動力能利用原捕集分離的外力把粉塵排離除塵器。而另一些除塵器則需要加額外的動力才能把已分離的粉塵排出。 排氣過程已棄塵后相對凈化的氣流從排氣口排出的過程稱為排氣過程。上述基本知識是除塵器、過濾器設(shè)計制造的理論基礎(chǔ)。下面具體討論單晶爐領(lǐng)域除塵技術(shù)。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，基于ANSYS軟軸型單晶爐提拉系統(tǒng)晃動分析\人工晶體是太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展所需的核心原材料,單晶爐是制造人工晶體的設(shè)備,目前的單晶爐大部分采用軟軸提拉系統(tǒng)。由于受到液/固相變規(guī)律的制約,單晶爐在實際工作中要求提拉機構(gòu)既要做旋轉(zhuǎn)運動,又要做上升運動,同時還要保持速度穩(wěn)定,對中性好,不能出現(xiàn)蠕動和擺動。提拉系統(tǒng)的晃動會引起生長瞬間微觀擴散層的變化,造成有效分凝系數(shù)的變動,導(dǎo)致微觀摻雜劑濃度分布的徑向不均勻,引起對流情況不穩(wěn)定,導(dǎo)致生長時固液界面過冷度的變化,為枝晶生長提供條件[1],會嚴重地影響單晶體的內(nèi)在品質(zhì)。

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大直徑硅單晶的制備與數(shù)值分析\大直徑硅單晶是微電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料,廣泛應(yīng)用于集成電路備件和硅片制造領(lǐng)域,是現(xiàn)今信息社會的基石。根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)的報告,大直徑硅單晶的需求依然旺盛,450mm硅單晶要繼續(xù)開發(fā)研究。當(dāng)前主流集成電路設(shè)備用部件急需400mm硅單晶并提出低成本的要求,開發(fā)400mm硅單晶和研究晶體制備的工藝過程,無疑具有重要的理論意義和現(xiàn)實需求。同時,開發(fā)下一代450mm集成電路用硅晶體、研究外加磁場對改善晶體質(zhì)量的作用,對于我國未來制造450mm硅片具有重要的戰(zhàn)略意義。