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生長Φ8“直拉硅單晶Φ8”熱場研究及數(shù)值模擬\隨著科學(xué)的飛速發(fā)展,出于提高生產(chǎn)率、降低成本的目的,器件廠家隨著生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大逐步要求增大硅片直徑。硅單晶直徑增大后,大熔硅體積、嚴(yán)重的熱對流使單晶氧含量增大。晶體直徑的增大也使結(jié)晶潛熱的散發(fā)更加困難,結(jié)晶速率難以提高。為了解決這兩個(gè)問題,本文在國產(chǎn)TDR-80單晶爐的基礎(chǔ)上,對熱場進(jìn)行了局部改造,施加了新型加強(qiáng)復(fù)合式熱屏。有限元法是一種能求得許多工程問題近似解的數(shù)值分析方法。由于拉單晶過程中投料量較大,爐體結(jié)構(gòu)復(fù)雜、造價(jià)昂貴,所以拉晶實(shí)驗(yàn)成本太高。

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液壓傳動(dòng)裝置能準(zhǔn)確的完成主爐室和副爐室的開啟，爐室、副爐室上升到位后對稱旋出，保主機(jī)穩(wěn)定可靠，并便于機(jī)動(dòng)取出晶體，拆裝熱場系統(tǒng)和清理爐內(nèi)各部。爐體部件采用316L不銹鋼，法蘭整體鍛造，經(jīng)過振動(dòng)消除應(yīng)力、缺陷檢查和探傷檢驗(yàn)及氦質(zhì)樸檢漏儀檢漏。