【BET測試】
背景：1938年Brunauer-Emmett-Teller提出多層吸附理論（BET方程），開啟比表面定量時(shí)代。
重要性：催化劑的活性、電池電極的離子傳輸效率直接取決于孔隙結(jié)構(gòu)參數(shù)。
產(chǎn)品類型：MOFs材料、鋰電負(fù)極、分子篩。
檢測標(biāo)準(zhǔn)：ISO 9277（靜態(tài)容量法）、ASTM D4567（微孔材料）。

廣電計(jì)量能力：
1、美國康塔Autosorb-iQ三站分析儀；
2、介孔材料孔徑分布重復(fù)性RSD＜1.5%；
3、完成某燃料電池催化劑比表面測試（850±10 m2/g）。

【TOF-SIMS原位電化學(xué)表征測試】
TOF-SIMS技術(shù)是什么？TOF-SIMS（Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）技術(shù)是一種高分辨率表面成分分析的方法。它通過將樣本表面轟擊成離子，并利用飛行時(shí)間質(zhì)譜儀測量這些離子的時(shí)間和質(zhì)量，從而確定樣本的成分及其分布情況。TOF-SIMS技術(shù)不僅可以提供元素分析信息，還可以提供離子組成分析、分子成像等詳細(xì)數(shù)據(jù)。

服務(wù)背景：鋰電池SEI膜形成機(jī)制研究需表面化學(xué)動(dòng)態(tài)分析。
檢測重要性：實(shí)時(shí)捕捉電極-電解質(zhì)界面副反應(yīng)產(chǎn)物。
檢測周期：5-7個(gè)工作日.
廣電計(jì)量通過深入研究負(fù)極表面SEI膜的成分和結(jié)構(gòu)，可以為電池材料的改進(jìn)提供重要參考。此外，TOF-SIMS技術(shù)還可以用于研究電池內(nèi)部的化學(xué)反應(yīng)機(jī)制，優(yōu)化電池的工作溫度、電解液成分等條件，提高電池的性能和壽命。隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，TOF-SIMS有望為電池領(lǐng)域的科學(xué)家們提供更多關(guān)鍵的表面分析信息，推動(dòng)電池技術(shù)的不斷創(chuàng)新。



【吡啶紅外測試】
背景：1960年代Parry發(fā)現(xiàn)吡啶與酸位點(diǎn)特征譜帶關(guān)聯(lián)，成為固體酸催化劑表征金標(biāo)準(zhǔn)。
重要性：調(diào)控催化劑酸性可提升石油裂解選擇性，減少結(jié)焦副反應(yīng)。
產(chǎn)品類型：FCC催化劑、ZSM-5分子篩、磺化樹脂。
檢測標(biāo)準(zhǔn)：ASTM D7466（酸量計(jì)算）。

廣電計(jì)量能力：
1、Thermo Nicolet iS50 FTIR配備高溫原位池；
2、定量分析B酸/L酸比例（誤差＜5%）；


【導(dǎo)熱系數(shù)測試】
背景：隨著5G芯片功率密度提升，熱管理材料性能評估需求爆發(fā)式增長。
重要性：導(dǎo)熱系數(shù)是散熱器選型的核心參數(shù)，偏差10%可導(dǎo)致器件壽命減半。
產(chǎn)品類型：氮化鋁陶瓷、熱界面材料、碳化硅復(fù)合材料。
檢測標(biāo)準(zhǔn)：ASTM E1461（激光閃射法）、ISO 22007-4（熱流計(jì)法）。

廣電計(jì)量能力：
1、德國NETZSCH LFA 467 HyperFlash?，溫度范圍-100~1100℃；
2、各向異性材料三維導(dǎo)熱分析；
3、動(dòng)力電池包導(dǎo)熱膠測試精度±3%。

【氣相色譜測試】
背景：1941年Martin和Synge提出分配色譜理論，1952年James開發(fā)首臺氣相色譜儀，成為有機(jī)化合物分離分析的基石。
重要性：解決復(fù)雜混合物中揮發(fā)性組分的分離與定量難題，支撐環(huán)境、食品、醫(yī)藥等領(lǐng)域合規(guī)性檢測。
產(chǎn)品類型：石化產(chǎn)品（芳烴含量）、藥品溶劑殘留、食品添加劑。
檢測標(biāo)準(zhǔn)：ASTM D2887（沸程分布）、GB 5009.262（食品中溶劑殘留）。

廣電計(jì)量能力：
1、配置Agilent 8890/5977B GC-MS，檢出限達(dá)0.01ppm；
2、建立VOCs“指紋圖譜”數(shù)據(jù)庫，助力污染源追溯；
3、通過FDA 21 CFR Part 11合規(guī)認(rèn)證。

【熱膨脹檢測】
服務(wù)背景：航天復(fù)合材料需嚴(yán)格匹配熱膨脹系數(shù)(CTE)，避免熱應(yīng)力導(dǎo)致結(jié)構(gòu)開裂。
檢測重要性：CTE是光學(xué)器件、半導(dǎo)體封裝選材的核心參數(shù)。
檢測周期：5-7個(gè)工作日。
廣電計(jì)量能力：
1、配備溫膨脹儀
2、精度±0.05μm，檢測氮化硅陶瓷CTE=2.6×10??/K（25-800℃）；
3、符合ASTM E831標(biāo)準(zhǔn)。