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通信IC回收
據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)日前發(fā)布的一份預(yù)測報告顯示，世界半導(dǎo)體市場未來三年將保持兩位數(shù)的增長，這份報告還表明，全球半導(dǎo)體業(yè)之所以能夠復(fù)蘇，通信產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展功不可沒，近年來通信集成電路IC芯片的需求大幅度增長，給全球半導(dǎo)體業(yè)注入了新的活力。在近兩年里，三網(wǎng)融合的大趨勢有力地推動了芯片業(yè)的發(fā)展，通信芯片在移動通信、無線Internet和無線數(shù)據(jù)傳輸業(yè)的發(fā)展，開始超過了PC機芯片的發(fā)展。IDC的預(yù)測，通信IC芯片，尤其是支持第三代移動通信系統(tǒng)的IC芯片，將成為21世紀(jì)初全球半導(dǎo)體芯片業(yè)大的應(yīng)用市場。

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電容回收
法拉電容又叫雙電層電容器、黃金電容、超級電容器，是從上個世紀(jì)七八十年代發(fā)展起來的一種化學(xué)元件。超級電容器通過極化電解質(zhì)來儲能，但不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，而且儲能過程是可逆的，也正因為此超級電容器可以反復(fù)充放電數(shù)十萬次。法拉電容金額普通電容的區(qū)別是容量上的差別。普通電容器容量大在1萬~4萬微法，超級電容器大容量可達數(shù)千法拉，1法拉=100萬微法，所以超級電容又叫做法拉電容。

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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。