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從除塵區(qū)域經(jīng)上盤12 個圓孔進入排氣區(qū)域(排氣筒) 的棄塵氣流終由排氣口排出除塵器。上面主要論述了這種混合式除塵器的除塵機理和過程。值得提出的是，出于某些因素的考慮例如體積小、結(jié)構(gòu)簡單、經(jīng)濟性等等，該除塵器略去了排塵區(qū)域。所以，應(yīng)該經(jīng)常性拆卸進行清灰工作。下面給出這種除塵器的主要技術(shù)參數(shù)：圓柱容器高度H = 900mm; 內(nèi)徑= á 270mm; 進氣口軸線偏離圓柱容器線e= 85mm; 進氣口與排氣口通徑均為á 89mm。內(nèi)、外層金屬網(wǎng)均采用50 目的不銹鋼絲網(wǎng)。順便提一下，在很多情況下，用戶拆去全部金屬桿和金屬網(wǎng)，僅以離心力作為主要除塵機理便滿足了單晶爐真空系統(tǒng)的除塵要求。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，因此在投資單晶生長企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長設(shè)備，配置出合理的熱場，從而保生產(chǎn)出來的單晶的品質(zhì)。在晶體生長分析與設(shè)計中，實驗與數(shù)值仿真是相輔相成的，其過程可以分為兩個部分：（1）在階段,利用引上法晶體生長實驗來進行數(shù)值模擬參數(shù)的調(diào)整（2）在二階段,利用數(shù)值模擬是用來確定的晶體生長工藝參數(shù)。

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單晶硅生長爐的原理簡介/我有更好的/，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3～5mm的細頸，用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯，這個過程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個過程稱為放肩；接著，突然提高拉速進行轉(zhuǎn)肩操作，