廣電計(jì)量提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內(nèi)的元器件破壞性物理分析(DPA)服務(wù)，其中針對(duì)半導(dǎo)體?藝，具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能?，將問(wèn)題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內(nèi)，針對(duì)有水汽控制要求的宇航級(jí)空封器件，提供PPM級(jí)內(nèi)部水汽成分分析，空封元器件特殊使用要求。

廣電計(jì)量破壞性物理分析(DPA)測(cè)試適用于集成電路芯片、電子元件、分立器件、機(jī)電類器件、線纜及接插件、微處理器、可編程邏輯器件、存儲(chǔ)器、AD/DA、總線接?類、 通?數(shù)字電路、模擬開(kāi)關(guān)、模擬器件、微波器件、電源類等。

電子元器件制造?藝質(zhì)量?致性是電子元器件滿足其用途和相關(guān)規(guī)范的前提。?量假冒翻新元器件充斥著元器件供應(yīng)市場(chǎng)，如何確定貨架元器件真?zhèn)问抢_元器件使用方的?大難題。廣電計(jì)量DPA分析測(cè)試能解決這一系列問(wèn)題，其中檢測(cè)項(xiàng)目包括：
●非破壞性項(xiàng)目：外部目檢、X?射線檢查、PIND、密封、引出端強(qiáng)度、聲學(xué)顯微鏡檢查；
●破壞性項(xiàng)目：激光開(kāi)封、化學(xué)開(kāi)封、內(nèi)部?體成分分析、內(nèi)部目檢、SEM檢查、鍵合強(qiáng)度、剪切強(qiáng)度、粘接強(qiáng)度、IC取芯片、 芯片去層、襯底檢查、PN結(jié)染?、DB FIB、熱點(diǎn)檢測(cè)、漏電位置檢測(cè)、彈坑檢測(cè)、ESD測(cè)試

對(duì)于DPA中暴露的問(wèn)題，只要元器件承制廠所與DPA實(shí)驗(yàn)室緊密結(jié)合，進(jìn)行分析與跟蹤，準(zhǔn)確找出導(dǎo)致缺陷產(chǎn)生的原因，采取有針對(duì)性的整改措施，則大多數(shù)缺陷模式是可以得到控制或消除的。
破壞性物理分析（DPA）技術(shù)不但適用于J用電子元器件，而且也同樣適用于民用電子元器件，如采購(gòu)檢驗(yàn)、進(jìn)貨驗(yàn)貨及生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量監(jiān)測(cè)等均可應(yīng)用DPA技術(shù)。
廣電計(jì)量破壞性物理分析(DPA)測(cè)試能夠?yàn)镴品及民品企業(yè)提供一站式服務(wù)，報(bào)告可靠。

廣電計(jì)量DPA測(cè)試以預(yù)防失效為目的，防止有明顯或潛在缺陷的元器件上機(jī)使用；確定元器件在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中存在的偏差和工藝缺陷；評(píng)價(jià)和驗(yàn)證供貨方元器件的質(zhì)量；提出批次處理意見(jiàn)和改進(jìn)措施。
DPA分析技術(shù)可以快速發(fā)現(xiàn)潛在的材料、工藝等方面的缺陷,這些缺陷終導(dǎo)致元器件失效的時(shí)間是不確定的,多數(shù)為早期失效，但所引發(fā)的后果是嚴(yán)重的。

破壞性物理分析DPA通常被航空航天工業(yè)用于將電子元件認(rèn)證為“S”類。越來(lái)越多的商業(yè)應(yīng)用正在使用破壞性物理分析DPA篩選來(lái)顯著提高其產(chǎn)品在現(xiàn)場(chǎng)的可靠性。可靠性更高的電子元件通常需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，幾乎沒(méi)有更換的機(jī)會(huì)。軌道衛(wèi)星就是這種情況的好例子。滿足“空間使用”要求的零件也用于難以更換和/或故障產(chǎn)生風(fēng)險(xiǎn)的應(yīng)用。
廣電計(jì)量斯對(duì)航空航天，商業(yè)，軍事和應(yīng)用中使用的材料進(jìn)行了40多年的破壞性物理分析（DPA）。我們的設(shè)施，并通過(guò)了DLA認(rèn)證，可滿足各種MIL-STD測(cè)試要求。