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特點編輯HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動，便于裝料和維護等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺的上面，便于平臺下面設(shè)備的維護。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡便干凈。

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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70％～80％是用直拉法生產(chǎn)的。目前晶體生長設(shè)備的現(xiàn)狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限，引進消化吸收國外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽能光伏發(fā)電站和風力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長爐設(shè)備有兩大系列三個品種，具有自主知識產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，中頻電爐設(shè)備主要應(yīng)用領(lǐng)域: 1、機床導軌的淬火處理； 2、煤礦用截齒的焊接；礦山用一字釬頭和梅花釬頭的焊接； 4、直徑30以下螺栓的熱變形； 5、直徑30以下的螺母的熱變形； 6、金屬粉末重熔； 7、直徑300以下鏈輪的熱處理； 8、直徑80以下軸的淬火處理； 9、直徑80以下工件的橫截面處理； 10、各種手工工具的淬火處理（錘子，斧頭，管鉗，斷線鉗）； 11、各種汽車工具的熱變形（如套筒扳手）； 12、汽車、托車零部件的局部熱處理； 13、各種機械零部件的的局部熱處理（需廠家提供圖紙及技術(shù)要求）。