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采用三相橋式全控整流電路將交流電整流為直流電，例如據(jù)把一根金屬圓柱體放在有交變中頻電流的感應(yīng)圈里，金屬圓柱體沒有與感應(yīng)線圈直接接觸，通電線圈本身溫度已很低，可是圓柱體表面被加熱到發(fā)紅，甚熔化，而且這種發(fā)紅和熔化的速度只要調(diào)節(jié)頻率大小和電流的強(qiáng)弱能實(shí)現(xiàn)。

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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實(shí)現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。江南電力光伏科技有限，引進(jìn)消化吸收國外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長爐設(shè)備有兩大系列三個品種，具有自主知識產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，為了配合di76．Zmm器件生產(chǎn)線的發(fā)展，我所研制了國內(nèi)臺15～30公斤的DL。78型單晶爐［‘］，并在該單晶爐上研究了48Omm硅單晶的控制工藝［‘］。在控制大直徑硅單晶的過程中，涉及的面比較廣，尤其是從我國原有1公斤、th3orum級的基礎(chǔ)上跳躍到12公斤、680mm硅單晶的拉制工藝，需要研究討論的問題很多，例如，熱場的設(shè)計、減壓工藝的設(shè)計與調(diào)整