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設(shè)計與仿真編輯在直拉法生長硅單晶的過程中，硅單晶生長的成功與否以及質(zhì)量的高低是由熱場的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱場，不僅硅單晶生長順利,而且品質(zhì)較高；如果熱場的溫度分布不是很合理，生長硅單晶的過程中容易產(chǎn)生各種缺陷，影響質(zhì)量，情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長不出來單晶。因此在投資硅單晶生長企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長設(shè)備，配置出合理的熱場,從而保生產(chǎn)出來的硅單晶的品質(zhì)。在直拉硅單晶生長工藝中,一般采用溫度梯度來描述熱場的溫度分布情況，其中在固液界面處的溫度梯度為關(guān)鍵。數(shù)值模擬是在一個低成本的情況下,利用電腦計算提供的詳盡資料，用以支持真正的（且昂貴）實(shí)驗。

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單晶硅生長爐原理簡介單晶硅生長爐的特點(diǎn)\單晶硅生長爐是通過直拉法生產(chǎn)單晶硅的制造設(shè)備。主要由主機(jī)、加熱電源和計算機(jī)控制系統(tǒng)三大部分組成。1、主機(jī)部分：機(jī)架，雙立柱\雙層水冷式結(jié)構(gòu)爐體\水冷式閥座\晶體提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)\坩堝提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)\系統(tǒng)\真空系統(tǒng)及自動爐壓檢測控制\水冷系統(tǒng)及多種安全保障裝置\留有二次加料口2、加熱器電源：全水冷電源裝置采用專利電源或原裝進(jìn)口IG及超快恢復(fù)二極管等功率器件。配以高頻變壓器，構(gòu)成新一代高頻開關(guān)電源。采用移相全橋軟開關(guān)（ZVS）及CPU控制技術(shù)，提高了電能轉(zhuǎn)換效率，不需要功率因數(shù)補(bǔ)償裝置。3、計算機(jī)控制系統(tǒng)：采用PLC和上位工業(yè)平板電腦PC機(jī)，配備大屏幕觸摸式HMI人機(jī)界面、高像素CCD測徑 ADC系統(tǒng)和具有知識產(chǎn)權(quán)的“全自動Cz法晶體生長SCADA監(jiān)控系統(tǒng)”，可實(shí)現(xiàn)從抽真空—檢漏—爐壓控制—熔料—穩(wěn)定—溶接—引晶—放肩—轉(zhuǎn)肩—等徑—收尾—停爐全過程自動控制。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶硅生長爐的特點(diǎn)HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動，便于裝料和維護(hù)等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺的上面，便于平臺下面設(shè)備的維護(hù)。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡便干凈。全自動控制系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計，維護(hù)方便，可靠性高，抗干擾性好。雙攝像頭實(shí)時采集晶體直徑信息。液面測溫確保下籽晶溫度和可重復(fù)性。爐內(nèi)溫度或加熱功率控制方式可選，保控溫精度。質(zhì)量流量計控制流量。真空計結(jié)合電動蝶閥實(shí)時控制爐內(nèi)真空度。