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特點(diǎn)編輯HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計(jì)。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動，便于裝料和維護(hù)等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計(jì)，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺的上面，便于平臺下面設(shè)備的維護(hù)。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡便干凈。

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由于慣性離心力的作用，塵粒和氣流會產(chǎn)生相對運(yùn)動，使塵粒從氣流中分離、慣性碰撞和接觸阻留含塵氣流在運(yùn)動過程中遇到物體的阻擋(如擋板、纖維、水滴等) 時(shí)，氣流要改變方向進(jìn)行繞流，細(xì)小的塵粒會隨氣流一起流動。粗大的塵粒具有較大的慣性,它會脫離流線，保持自身的慣性運(yùn)動，這樣塵粒和物體發(fā)生了慣性碰撞而脫離氣流(見圖1)。細(xì)小的塵粒隨氣流一起繞流時(shí)，如果流線緊靠物體(纖維或液滴) 表面，有些塵粒因與物體發(fā)生接觸而被阻留,這種現(xiàn)象稱為接觸阻留。另外當(dāng)塵粒尺寸大于纖維網(wǎng)眼而被阻留時(shí)，這種現(xiàn)象稱為篩濾作用。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實(shí)現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。