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DL-78型單晶爐的熱場和減壓工藝\1前言集成電路生產(chǎn)的發(fā)展一方面不斷縮小元件尺寸，以提高集成度；另一方面不斷擴大硅片直徑以減少芯片的離故度和降低成本。相應(yīng)地，作為集成電路基礎(chǔ)材料的硅單晶生產(chǎn)也在不斷地提高其技術(shù)質(zhì)量指標(biāo)和增大單晶錠的直徑和長度，以滿足電路的要求和降低自身的生產(chǎn)成本。在國外市場上，硅晶體直徑大致每4～5年增長1時（25．4mm），相應(yīng)地，生產(chǎn)投料重也由1公斤逐漸發(fā)展為3～5公斤、8～12公斤、15～劉公斤和朋～6O公廳等幾個等級。在這發(fā)展中，有兩個條件是相輔相成、共同進步的，這是單晶爐和拉晶工藝。

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權(quán)利要求1、一種直拉式單晶生長爐，包括設(shè)于該爐頂部并伸入爐內(nèi)的輸入管(12)、與輸入管(12)相連通的環(huán)形氣體分布器(11)；其特征在于經(jīng)輸入管(12)輸入的氣壓為0.8×10a0.9×10a，流量為30L/min。2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉式單晶生長爐，其特征在于還包括 設(shè)于該爐的坩堝支持器(14)下方和該爐底部的排氣口 (13)之間的氣流 導(dǎo)向裝置(20);該氣流導(dǎo)向裝置(20)為碗形，其包括設(shè)于氣流導(dǎo)向裝 置(20)底部的中軸孔(2-1)、設(shè)于所述中軸孔(2-1)兩側(cè)的一對電 極孔(2-2)、以及設(shè)于所述中軸孔(2-1)兩側(cè)并與該爐的排氣口 (13)相 對的通氣孔(2-3);該爐的石墨中軸(21)分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，浮力提拉單晶爐提拉機構(gòu)特性分析\一、引言 浮力提拉單晶爐(簡稱FTD)是利用浮力原理設(shè)計成的提拉式單晶爐帕,十多年來,用它先后生長成功了多種晶體〔2一5〕。這種爐子容易制造,成本低,易于推廣,目前國內(nèi)已有幾個廠家使用它生產(chǎn)泥酸鏗單晶。作為一種發(fā)明,FTD也受到肯定和重視?？墒?FTD在問世以后,卻沒有進行深入探討。雖然FTD的設(shè)計有過幾次變化,但由于沒有掌握設(shè)計的則,致使FTD存在不同程度的提拉不均勻現(xiàn)象,嚴(yán)重地影響了它的推廣普及。為了改善它的提拉特性,我們研究了FTD浮力提拉原理,對多臺FTD作了分析對比,由此找出了提拉不均勻性產(chǎn)生的根源;明確了FTD提拉機構(gòu)的設(shè)計要領(lǐng)。希望這-一卜作能夠推動FTD的發(fā)展.并有助于單晶的生長研究和生產(chǎn)。二、FTD浮力提拉原理、提拉不均性的產(chǎn)生習(xí)C^l 奮幽1吮止~乙二丁~二二二Dr1.甲一一一一一一1。}