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一種連續(xù)拉晶單晶爐背景技術(shù)：目前，大多數(shù)單晶爐都是采用一次性向主爐室坩堝投料的方法，通常是生產(chǎn)完一爐后，等單晶爐冷卻后，再往主爐室坩堝內(nèi)裝料，進(jìn)行下一次生產(chǎn)，這樣既浪費(fèi)了時(shí)間，又造成了熱量的流失，且在拉晶棒的過(guò)程中，不能進(jìn)行補(bǔ)料操作，在拉晶棒的后期階段，會(huì)因?yàn)楣枇现心承┰氐膿]發(fā)而影響晶棒后半部分的質(zhì)量。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種連續(xù)拉晶單晶爐，它可以連續(xù)加料、連續(xù)化料，從而實(shí)現(xiàn)連續(xù)拉晶，選用合適的主爐室坩堝可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)拉制五六根晶棒，減少了冷卻、拆爐、裝爐的時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，也減少了熱量的流失。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種連續(xù)拉晶單晶爐，它包括括底座、主爐室、副爐室、下驅(qū)動(dòng)裝置和上驅(qū)動(dòng)裝置，所述主爐室和下驅(qū)動(dòng)裝置均安裝在底座上，

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特點(diǎn)編輯HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計(jì)。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動(dòng)，便于裝料和維護(hù)等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計(jì)，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺(tái)的上面，便于平臺(tái)下面設(shè)備的維護(hù)。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡(jiǎn)便干凈。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，生長(zhǎng)Φ8“直拉硅單晶Φ8”熱場(chǎng)研究及數(shù)值模擬\隨著科學(xué)的飛速發(fā)展,出于提高生產(chǎn)率、降低成本的目的,器件廠家隨著生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大逐步要求增大硅片直徑。硅單晶直徑增大后,大熔硅體積、嚴(yán)重的熱對(duì)流使單晶氧含量增大。晶體直徑的增大也使結(jié)晶潛熱的散發(fā)更加困難,結(jié)晶速率難以提高。為了解決這兩個(gè)問(wèn)題,本文在國(guó)產(chǎn)TDR-80單晶爐的基礎(chǔ)上,對(duì)熱場(chǎng)進(jìn)行了局部改造,施加了新型加強(qiáng)復(fù)合式熱屏。有限元法是一種能求得許多工程問(wèn)題近似解的數(shù)值分析方法。由于拉單晶過(guò)程中投料量較大,爐體結(jié)構(gòu)復(fù)雜、造價(jià)昂貴,所以拉晶實(shí)驗(yàn)成本太高。