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從除塵區(qū)域經(jīng)上盤12 個(gè)圓孔進(jìn)入排氣區(qū)域(排氣筒) 的棄塵氣流終由排氣口排出除塵器。上面主要論述了這種混合式除塵器的除塵機(jī)理和過(guò)程。值得提出的是，出于某些因素的考慮例如體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)性等等，該除塵器略去了排塵區(qū)域。所以，應(yīng)該經(jīng)常性拆卸進(jìn)行清灰工作。下面給出這種除塵器的主要技術(shù)參數(shù)：圓柱容器高度H = 900mm; 內(nèi)徑= á 270mm; 進(jìn)氣口軸線偏離圓柱容器線e= 85mm; 進(jìn)氣口與排氣口通徑均為á 89mm。內(nèi)、外層金屬網(wǎng)均采用50 目的不銹鋼絲網(wǎng)。順便提一下，在很多情況下，用戶拆去全部金屬桿和金屬網(wǎng)，僅以離心力作為主要除塵機(jī)理便滿足了單晶爐真空系統(tǒng)的除塵要求。

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D． 罩式爐（主要用于退火，加熱罩可吊移） 　　E． 底升式罩式爐（罩子固定，升降底座，適用于大型爐子） 　　F． 轉(zhuǎn)筒式爐 　　G． 密封箱式爐（又稱為多用爐，可進(jìn)行滲碳、光潔淬火、碳氮共滲等熱處理工藝。采用輻射管加熱，輻射管是由耐火陶瓷盤固定的電阻絲裝于一個(gè)密封耐熱鋼管中，這樣的結(jié)構(gòu)使?fàn)t內(nèi)氣氛對(duì)加熱元件不會(huì)有影響）4． 連續(xù)式電阻爐　　A． 推送式爐 　　B． 傳送帶式爐 　　C． 網(wǎng)帶爐（適用于薄小零件的退火、燒結(jié)、釬焊及固溶處理。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與分析1　引　言半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)材料 ,其中用量和用途廣泛的是半導(dǎo)體硅。當(dāng)今 95%以上的半導(dǎo)體器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成電路是硅集成電路 ,生產(chǎn)集成電路所需要的單晶硅 ,是在硅結(jié)晶生長(zhǎng)開(kāi)始時(shí) ,用提拉的辦法制成的。在單晶硅生產(chǎn)過(guò)程中 ,對(duì)晶體的提拉速度有十分嚴(yán)格的要求 ,從某種程度上講提拉速度的控制好壞將直接影響到晶體的質(zhì)量。對(duì)單晶硅生產(chǎn)過(guò)程中的提拉速度控制系統(tǒng)進(jìn)行研究有實(shí)際意義。圖 1示出了單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)在單晶硅生產(chǎn)中的作用。提拉桿的運(yùn)動(dòng)是靠驅(qū)動(dòng)電機(jī)通過(guò)減速器 ,再由齒輪齒條機(jī)構(gòu)帶動(dòng)的。在單晶爐中 ,要求提拉單晶硅的提拉桿不僅能以某一期望線速度 V向上 (下 )運(yùn)動(dòng) ,而且當(dāng)提拉負(fù)載增大引起線速度為零時(shí) ,提拉桿能保持其后位置而不上下滑動(dòng)。在實(shí)際單晶爐中 ,對(duì)提拉控制系統(tǒng)提出的主要技術(shù)指標(biāo)是 ,提拉速度在 0 .2～ 1 0 .0 mm/h范圍之內(nèi)實(shí)現(xiàn)無(wú)級(jí)可調(diào) ,線性精度大于± 2 %