頂面碎片(TSC, top-side chipping)，它發(fā)生晶圓的頂面，變成一個合格率問題，當切片接近芯片的有源區(qū)域時，主要依靠刀片磨砂粒度、冷卻劑流量和進給速度。背面碎片(BSC, back-side chipping)發(fā)生在晶圓的底面，當大的、不規(guī)則微小裂紋從切割的底面擴散開并匯合到一起的時候(圖1b)。當這些微小裂紋足夠長而引起不可接受的大顆粒從切口除掉的時候，BSC變成一個合格率問題。

通常，切割的硅晶圓的質量標準是：如果背面碎片的尺寸在10μm以下，忽略不計。另一方面，當尺寸大于25μm時，可以看作是潛在的受損。可是，50μm的平均大小可以接受，示晶圓的厚度而定?，F(xiàn)在可用來控制背面碎片的工具和技術是刀片的優(yōu)化，接著工藝參數(shù)的優(yōu)化。

當切片機有穩(wěn)定的冷卻劑流量和所有其它參數(shù)都受控制時，維持一個穩(wěn)定的扭矩。如果記錄，從穩(wěn)定扭矩的任何偏離都是由于不受控的因素。這些包括由于噴嘴堵塞的冷卻劑流量變化、噴嘴調整的變化、刀片對刀片的變化、刀片情況和操作員錯誤。